[发明专利]一种降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法有效

专利信息
申请号: 202011198668.3 申请日: 2020-10-31
公开(公告)号: CN112323001B 公开(公告)日: 2022-02-18
发明(设计)人: 文孟平;万大勇;彭硕 申请(专利权)人: 湖北中一科技股份有限公司
主分类号: C22F1/08 分类号: C22F1/08;C21D9/00
代理公司: 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 代理人: 易贤卫
地址: 432500 湖北省孝*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 降低 电解 铜箔 时效 处理 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法,其特征在于,其步骤包括:

按翘曲值对电解铜箔母卷分类;

对不同类别的电解铜箔母卷分别进行对应的时效处理;

将时效处理后的电解铜箔母卷自然冷却至室温;

所述时效处理过程包括两级时效处理或三级时效处理,所述两级时效处理过程依次包括升温处理阶段和恒温处理阶段,所述三级时效处理过程依次包括升温处理阶段、恒温处理阶段和降温处理阶段;

所述电解铜箔母卷为在生箔机中受直流电作用并经过钝化处理的铜箔;所述降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法应用于4.5~6μm的超薄电解铜箔的制备工艺中;

所述按翘曲值对电解铜箔母卷分类的步骤具体包括:按翘曲值将电解铜箔母卷分为A、B、C三类,其中类别A的翘曲值大于或等于20mm,类别B的翘曲值大于15mm且小于20mm,类别C的翘曲值小于15mm;

所述类别A的电解铜箔母卷进行所述两级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由a℃升温至b℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为b℃,时间为7.5~8.5h;所述类别A的电解铜箔母卷进行所述三级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由a℃升温至b℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为b℃,时间为7.5~8.5h;所述降温处理阶段由b℃降温至a℃,时间为3.5~4.5h;其中,a值为25±2,b值为75±5;

所述类别B的电解铜箔母卷进行所述两级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由c℃升温至d℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为d℃,时间为7.5~8.5h;所述类别B的电解铜箔母卷进行所述三级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由c℃升温至d℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为d℃,时间为7.5~8.5h;所述降温处理阶段由d℃降温至c℃,时间为3.5~4.5h;其中,c值为25±2,d值为60±5;

所述类别C的电解铜箔母卷进行所述两级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由e℃升温至f℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为f℃,时间为7.5~8.5h;所述类别C的电解铜箔母卷进行所述三级时效处理的具体工艺参数包括:所述升温处理阶段由e℃升温至f℃,时间为5.5~6.5h;所述恒温处理阶段的温度为f℃,时间为7.5~8.5h;所述降温处理阶段由f℃降温至e℃,时间为3.5~4.5h;其中,e值为25±2,f值为50±5。

2.根据权利要求1中所述降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法,其特征在于,所述钝化处理的步骤包括:将三氧化二铬和葡萄糖溶于纯水中,制得钝化液;

于20~26℃条件下,在所述钝化液中对所述电解后的铜箔同时进行电化学镀工序与化学镀工序,得到所述电解铜箔母卷。

3.根据权利要求2中所述降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法,其特征在于,所述钝化处理步骤中,所述钝化液中的Cr6+浓度为0.4~0.7g/L,葡萄糖浓度为2.5~5g/L,所述钝化液pH值为2~3;

电镀电流为1.5~2.5A,电化学镀工序时长为5~10s,化学镀工序时长为6~9s。

4.根据权利要求2中所述降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法,其特征在于,所述纯水为经过多次过滤并去离子化的去离子水,纯水电导率≦25μS/cm。

5.根据权利要求1中所述降低电解铜箔翘曲的时效处理工艺方法,其特征在于,所述按翘曲值对电解铜箔母卷分类步骤之前还包括对电解铜箔母卷的翘曲值进行测量,所述对电解铜箔母卷的翘曲值进行测量的步骤具体包括:用取样器截取一块铜箔样品,将铜箔样品毛面朝上,平铺于水平桌面上,测试各处向上弯曲高度,取最大值即为铜箔的翘曲值。

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