[发明专利]一种灵敏放大器电路在审

专利信息
申请号: 202011199570.X 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112509617A 公开(公告)日: 2021-03-16
发明(设计)人: 李兆桂;冯国友 申请(专利权)人: 普冉半导体(上海)股份有限公司
主分类号: G11C7/06 分类号: G11C7/06;G11C7/08;G11C5/14
代理公司: 上海元好知识产权代理有限公司 31323 代理人: 包姝晴;张静洁
地址: 201210 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 灵敏 放大器 电路
【权利要求书】:

1.一种灵敏放大器电路,其特征在于,包括放大电路和偏置电路,所述偏置电路用于保证所述放大电路不失真的放大所述放大电路上的电压,不失真放大后的电压加载至存储单元CELL的漏极,其中,加载至所述存储单元CELL的漏极的电压恒定。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器电路,其特征在于,所述放大电路包括PMOS管PM1,NMOS管NM2、NM3;

其中,PM1的源极连接电压VDD,PM1的栅极连接电压VSABIAS,PM1的漏极连接NM3的漏极,NM3的源极连接NM2的漏极,NM2的栅极连接电源VDD,NM2的源极连接存储单元CELL的漏极,存储单元CELL的栅极连接电压VWL,存储单元CELL的源极接地。

3.如权利要求2所述的灵敏放大器电路,其特征在于,所述偏置电路包括PMOS管PM2、PM3,NMOS管NM1、NM4、NM5、NM6;

其中,PM2的源极连接电压VDD,PM2的栅极、NM6的栅极连接偏置电压VBLPBIAS,PM2的漏极连接PM3的源极,PM3的栅极、NM4的栅极连接控制端ENB,PM3的漏极、NM4的漏极、NM5的栅极、NM5的漏极、NM1的漏极连接NM3的栅极,NM4的源极、NM6的源极接地,NM5的源极、NM1的源极连接NM6的漏极,NM1的栅极连接NM2的漏极。

4.如权利要求3所述的灵敏放大器电路,其特征在于,当控制端ENB为高电平时,PM3关断,NM3导通,偏置电压VLIM被拉到低电平,灵敏放大器不工作。

5.如权利要求3或4所述的灵敏放大器电路,其特征在于,当控制端ENB为低电平时,NM4关断,PM3导通,输入VBLBIAS信号控制的偏置管PM2的偏置电流上拉VLIM,直至NM1和NM5的导通电流与偏置电流管PM2的电流相等,此时的VLIM即为后级放大器的偏置电压,该灵敏放大器电路进入正常工作状态。

6.如权利要求3所述的灵敏放大器电路,其特征在于,NM6的栅极连接偏置电压VBLPBIAS,与NM2的衬偏效应抵消,补偿NM2在不同电压下的导通阻抗。

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