[发明专利]一种基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺

权利要求书

1.一种基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于步骤如下：

步骤1、将不同批次和不同来源的多晶硅废料进行粉碎并放入容器中混合搅拌；

步骤2、分别从容器的不同位置随机抽取硅废料X份，X为不小于7的自然数；

步骤3、将取出的X份硅废料分别装入标准的柱形容器内压紧，并测量两端间的电阻，并计算该X份硅废料的电阻率，及电阻率的平均值；

步骤4、如果满足下述条件：X份硅废料的电阻率与平均值之差的绝对值小于平均值的10%，则认为硅废料已混合均匀；否则继续搅拌硅废料，并转至步骤3，直到满足上述条件；

步骤5、根据所述硅废料混合均匀后电阻率的平均值落在预先划分的区间，将硅废料进行分级，电阻率平均值越低，硅废料的纯度越高，硅废料等级越高，将同一等级的硅废料按照对应的铸锭工艺进行再生多晶硅铸锭。

2.根据权利要求1所述的基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于：所述容器为长方体容器，分别从长方体容器内的六个面的中心、八个顶点和体心处取硅废料，共15份硅废料。

3.根据权利要求1所述的基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于：步骤1中，粉碎至粒径5mm以下。

4.根据权利要求3所述的基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于：步骤2中，硅废料取100-200克。

5.根据权利要求1所述的基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于：步骤3中，柱形容器为圆柱形容器，内直径为2cm。

6. 根据权利要求5所述的基于硅废料分级的再生多晶硅铸锭工艺，其特征在于：本发明采用双电源铸锭炉进行晶硅铸锭，双电源铸锭炉具有顶部加热器和底部加热器，单种等级硅废料的铸锭工艺中的顶部加热器和底部加热器的在硅料熔化阶段和降温结晶阶段的加热时间如下：

第七等级硅废料：电阻率平均值在0.3-0.4Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1213min，侧壁加热器加热时间1150min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间2442min，侧壁加热器加热时间2300min；

第六等级硅废料：电阻率平均值在0.4-0.5Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1174min，侧壁加热器加热时间1111min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间2333min，侧壁加热器加热时间2191min；

第五等级硅废料：电阻率平均值在0.5-0.6Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1140min，侧壁加热器加热时间1077min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间2228min，侧壁加热器加热时间2086min；

第四等级硅废料：电阻率平均值在0.7-0.9Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1116min，侧壁加热器加热时间1053min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间2114min，侧壁加热器加热时间1972min；

第三等级硅废料：电阻率平均值在0.9-1.2Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1075min，侧壁加热器加热时间1012min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间1995min，侧壁加热器加热时间1853min；

第二等级硅废料：电阻率平均值在1.2-2Ω·cm区间

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1040min，侧壁加热器加热时间977min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间1870min，侧壁加热器加热时间1728min；

第一等级硅废料：电阻率平均值在＞2Ω·cm

硅料熔化阶段，顶部加热器加热时间1012min，侧壁加热器加热时间949min；

降温结晶阶段，顶部加热器加热时间1749min，侧壁加热器加热时间1607min。