[发明专利]一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种高稳定快擦写图案化的聚合物存储器，其特征在于，包括ITO或FTO的导电基底、存储介质层、铝或银的顶电极，所述的存储介质层包括表面具有孔洞的图案化的共轭微孔聚合物，所述存储介质层的厚度为20-30nm，采用如下方法制备得到：

(1)将4，4′-二(9-咔唑)联苯，1，3，5-三(9H-咔唑-9-基)苯或2，4，6-三(9H-咔唑-9-基)-1，3，5-三嗪中的一种或多种溶于二氯甲烷、二氯乙烷、三氯甲烷、氯苯、甲苯中，得到浓度为0.1mol/L-1mol/L的溶液，以1000-4000r/min的速度旋涂于导电基底上，然后将覆盖有单体的基底在湿度为30％-80％的水蒸汽氛围下放置30-90min得到单体薄膜；

(2)随后在单体薄膜上添加掩膜版，将其置在光源下进行反应，控制反应温度为25～75℃，反应1～3小时；

(3)继步骤(2)，清洗样品，得到生长在基底上的具有表面孔洞的图案化的聚合物。

2.权利要求1所述的存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A导电基底处理：将ITO基底采用去离子水，乙醇，异丙醇分别超声，氮气吹干；

B存储介质层的制备：按照权利要求1所述存储介质层的制备方法制备得到；

C顶电极的制备：用热蒸镀的方法在存储介质层上蒸镀金属铝电极，即得存储器。

3.根据权利要求2所述制备方法，其特征在于，所述步骤C中铝电极的蒸镀条件为：真空度为10^-5Torr，蒸镀速率为