[发明专利]一种高精度叉指电极、其制备方法和应用

权利要求书

1.一种高精度叉指电极，其特征在于，包括绝缘基体、导电内层和反应层，其中所述绝缘基体表面设有所述导电内层，所述导电内层外表面设有所述反应层。

2.根据权利要求1所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述绝缘基体为硅基、陶瓷、玻璃等非金属材料中的任一种。

3.根据权利要求2所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述绝缘基材优选硅基，其表面修饰二氧化硅保护层。

4.根据权利要求1所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述导电内层的厚度为20～50nm。

5.根据权利要求4所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述导电内层为Cr、Ti、Ni中的一种形成的金属或其中至少两种形成的合金构成。

6.根据权利要求1所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述反应层的厚度为100nm。

7.根据权利要求6所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述反应层为Au、Ag、Pt中的一种。

8.根据权利要求1所述的高精度叉指电极，其特征在于，所述叉指电极的线宽线距为1～40μm。

9.一种制备如权利要求1所述的高精度叉指电极的方法，其特征在于，包括如下工序：在所述绝缘基体上依次磁控溅射所述导电内层和所述反应层，机械旋涂光刻胶；显影曝光形成图形线路，蚀刻底层形成电极线路；去胶膜后即得所述高精度叉指电极；

其中磁控溅射所述导电内层方法具体为：溅射靶材为金属，靶材直径为15～25mm，厚度为2～5mm；靶材与绝缘基体的距离为10～15cm；所述磁控溅射功率为180～200W，溅射气压为1～3Pa，溅射时间为5～15min；

其中磁控溅射所述反应层方法具体为：溅射靶材为金属，靶材直径为20～30mm，厚度为2～5mm；靶材与绝缘基体的距离为10～15cm；所述磁控溅射功率为200～250W，溅射气压为3～5Pa，溅射时间为15～25min。

10.一种如权利要求1所述的高精度叉指电极的应用，其特征在于，所述叉指电极可用于生物分子检测，具体可用于制备电化学免疫传感器。