[发明专利]一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置在审

专利信息
申请号: 202011200531.7 申请日: 2020-10-30
公开(公告)号: CN112279260A 公开(公告)日: 2021-01-29
发明(设计)人: 李房斌;何永健;谭继军;廖福 申请(专利权)人: 广东先导稀材股份有限公司
主分类号: C01B35/02 分类号: C01B35/02;C30B29/02;C30B35/00
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文;黄华莲
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 高纯 晶体 制备 装置
【说明书】:

发明涉及材料技术领域,公开了一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置,包括具有腔室的座体、设于腔室内的第一导电棒、设于腔室内的第二导电棒、与第一导电棒电连接的第一电极、与第二导电棒电连接的第二电极,以及呈直线状且具有第一端和第二端的电阻丝;第一导电棒的侧面上设有第一插孔,第二导电棒的侧面上设有第二插孔;第一端插入至第一插孔内,第二端插入至第二插孔内;第一导电棒上套设有第一夹紧环,第一夹紧环和第一导电棒的侧面形成用于夹持电阻丝的第一间隙;第二导电棒上套设有第二夹紧环,第二夹紧环和第二导电棒的侧面形成用于夹持电阻丝的第二间隙。本发明的电阻丝安装稳固,不易松脱,且拆装便捷,组装效率高。

技术领域

本发明涉及材料技术领域,特别是涉及一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置。

背景技术

高纯硼由硼化物高温裂解得到,现有技术中,高纯硼晶体和高纯硼粉可以采用如CN204803443U公开的一种用于晶体生长的加热装置进行制备,制备过程中,物料高温状态下附着电阻丝上沉积形成高纯硼晶体,物料在高温状态下缺乏附着点时形成高纯硼粉。

然而,现有技术中,将电阻丝固定在制备装置内的结构复杂,拆装不便。

发明内容

本发明要解决的技术问题是:现有技术中安装固定电阻丝的结构复杂、拆装不便。

为了解决上述技术问题,本发明提供了一种高纯硼晶体和高纯硼粉的制备装置,包括具有腔室的座体、设于所述腔室内的第一导电棒、设于所述腔室内的第二导电棒、与所述第一导电棒电连接的第一电极、与所述第二导电棒电连接的第二电极,以及呈直线状且具有第一端和第二端的电阻丝;所述第一导电棒的侧面上设有第一插孔,所述第二导电棒的侧面上设有第二插孔;所述第一端插入至所述第一插孔内,所述第二端插入至所述第二插孔内;所述第一导电棒上套设有第一夹紧环,所述第一夹紧环和所述第一导电棒的侧面形成用于夹持所述电阻丝的第一间隙;所述第二导电棒上套设有第二夹紧环,所述第二夹紧环和所述第二导电棒的侧面形成用于夹持所述电阻丝的第二间隙。

进一步地,所述电阻丝、第一插孔和第二插孔均设有多个,多个所述第一插孔绕所述第一导电棒的轴线环形分布,多个所述第二插孔绕所述第二导电棒的轴线环形分布;多个所述电阻丝、多个所述第一插孔以及多个所述第二插孔一一对应,各所述电阻丝的第一端分别插入至对应的第一插孔内,各所述电阻丝的第二端分别插入至对应的第二插孔内。

进一步地,所述座体包括两端开口的管体、可拆卸连接于所述管体一端的第一密封盖,以及可拆卸连接于所述管体另一端的第二密封盖;所述第一密封盖密封所述管体的一端,所述第二密封盖密封所述管体的另一端;所述腔室由所述第一密封盖、第二密封盖以及管体围成。

进一步地,所述第一密封盖上设有第一过孔,所述第一电极穿过所述第一过孔并延伸至所述腔室外;所述第二密封盖上设有第二过孔,所述第二电极穿过所述第二过孔并延伸至所述腔室外。

进一步地,所述座体上分别设有连通至所述腔室的第一通道和第二通道。

进一步地,所述第一电极朝向所述第一导电棒的端面上设有第一配合孔,所述第一导电棒插入至所述第一配合孔内。

进一步地,所述第二电极朝向所述第二导电棒的端面上设有第二配合孔,所述第二导电棒插入至所述第二配合孔内。

进一步地,所述第一夹紧环具有第一端面和第二端面,所述第一端面上开设有第一通孔,所述第二端面上开设有与所述第一通孔连通的第二通孔;所述第一导电棒依次穿过所述第一通孔和第二通孔;所述第二通孔朝向所述电阻丝,在所述第一端面朝向所述第二端面的方向上,所述第二通孔的内径逐渐增大;所述第二夹紧环具有第三端面和第四端面,所述第三端面上开设有第三通孔,所述第四端面上开设有与所述第三通孔连通的第四通孔;所述第二导电棒依次穿过所述第三通孔和第四通孔;所述第三通孔朝向所述电阻丝,在所述第四端面朝向所述第三端面的方向上,所述第三通孔的内径逐渐增大。

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