[发明专利]一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构

权利要求书

1.一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，包括线圈(1)、档盖(2)、活塞杆(3)、紧固螺钉(4)、套筒(5)、密封挡圈(6)、阻尼器外筒(7)，

所述套筒(5)嵌套于所述阻尼器外筒(7)内，所述套筒(5)两端端口内分别对称设有第一台阶(51)和第二台阶(52)；所述套筒(5)两端外侧圆周分别对称开设有第一凹槽(53)和第二凹槽(54)；

所述活塞杆(3)嵌套于所述套筒(5)内，其中心开设有中心通孔(36)，所述活塞杆具有多级台阶结构，从左到右依次设有第一级台阶外圆(31)、第二级台阶外圆(32)、第三级台阶外圆(33)、第四级台阶外圆(34)、第五级台阶外圆(35)，所述第一级台阶外圆(31)、第三级台阶外圆(33)、第五级台阶外圆(35)具有相等的直径d；所述第二级台阶外圆(32)与第四级台阶外圆(34)具有相等的直径D；所述第四级台阶外圆(34)远离所述第三级台阶外圆(33)一端圆周上具有法兰盘结构，与所述套筒(5)上的第二台阶(52)配合，以实现所述活塞杆(3)左向运动限位；所述第二级台阶外圆(32)靠近所述第一级台阶外圆(31)一侧台阶端面上周向均布有多个螺纹孔，所述档盖(2)上开设有对应的螺纹孔，所述档盖(2)通过所述紧固螺钉(4)固定连接于所述第二级台阶外圆(32)靠近所述第一级台阶外圆(31)一侧台阶端面上；所述档盖(2)中心开设有通孔，套装于所述活塞杆(3)的第一级台阶外圆(31)上，其外圆周上具有法兰盘结构，与所述套筒(5)上的第一台阶(51)配合，以实现所述活塞杆(3)右向运动限位；

所述线圈(1)缠绕在所述活塞杆(3)第三级台阶外圆(33)上；所述线圈(1)由所述活塞杆(3)的中心通孔(36)左侧穿入，从所述活塞杆(3)上第三级台阶外圆(33)圆周上靠近所述第二台阶外圆的第一通孔(37)穿出，在所述第三级台阶外圆(33)外圆周上进行缠绕，再经过所述活塞杆(3)上第三级台阶外圆(33)圆周上靠近所述第四级台阶外圆(34)的第二通孔(38)穿回至所述中心通孔(36)内并折回左侧；

所述密封挡圈(6)嵌设于所述第一凹槽(53)和第二凹槽(54)内，用于起到密封配合作用。

2.根据权利要求1所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述阻尼器外筒(7)材质可采用非导磁材料。

3.根据权利要求1或2任意一项所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述活塞杆(3)的第二级台阶外圆(32)、第四级台阶外圆(34)与所述套筒(5)之间存在阻尼间隙，当所述阻尼器外筒(7)中充满磁流变液时，所述阻尼间隙作为磁流变液流动通道。

4.根据权利要求3所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述阻尼间隙的范围不超过0.5mm。

5.根据权利要求1或2任意一项所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述活塞杆(3)与所述套筒(5)均需选用导磁材料。

6.根据权利要求1所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述阻尼器外筒(7)材质可采用导磁材料。

7.根据权利要求1或2任意一项所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，当所述线圈(1)通电时，在所述活塞杆(3)、磁流变液、所述套筒(5)之间形成磁回路。

8.根据权利要求1或2任意一项所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述第四级台阶外圆(34)远离所述第三级台阶外圆(33)一端圆周上的法兰盘结构，以及所述档盖(2)外圆周上的法兰盘结构上的凸台形状可以是矩形、梯形中的一种。

9.根据权利要求1或2任意一项所述的一种旋翼磁流变阻尼器活塞结构，其特征在于，所述密封挡圈(6)的材质选用橡胶。