[发明专利]一种具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关

权利要求书

1.一种具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，连接于输入电压源和输出负载设备之间，其特征在于，包括输入控制模块、PMOS负载开关（100）、转换速率控制模块（120）和计时控制模块（200），所述输入控制模块通过输入控制引脚SW连接于所述计时控制模块（200）的输入端，所述计时控制模块（200）的输出端连接于所述转换速率控制模块（120）的输入端，所述转换速率控制模块（120）的输出端连接于所述PMOS负载开关（100）的栅极，所述PMOS负载开关（100）的源极连接于输入电压源（20），所述PMOS负载开关（100）的漏极通过输出引脚VOUT连接于输出负载设备（50），使用时，在所述PMOS负载开关（100）处于关闭状态时，按下所述输入控制模块以开启所述计时控制模块（200），所述计时控制模块（200）在第一预设时间后控制开启所述PMOS负载开关（100），在所述转换速率控制模块（120）的控制下将所述输入电压源的电压接通至所述输出引脚VOUT；在所述PMOS负载开关（100）处于开启状态时，按下所述输入控制模块以开启所述计时控制模块（200），所述计时控制模块（200）在第二预设时间后控制关闭所述PMOS负载开关（100），以断开所述输入电压源与所述输出引脚VOUT之间的连接。

2.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，还包括：

NMOS放电晶体管（110），所述NMOS放电晶体管（110）的栅极连接于所述计时控制模块（200），所述NMOS放电晶体管（110）的漏极连接于所述输出引脚VOUT，所述NMOS放电晶体管（110）的源极接地，在关闭所述PMOS负载开关（100）之后，通过所述NMOS放电晶体管（110）降低所述输出引脚VOUT上的电压。

3.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，所述输入控制模块包括按钮开关（40）和电阻（30），所述按钮开关（40）经由所述电阻（30）连接至所述输入电压源（20）的正极，所述按钮开关（40）还连接至所述输入控制引脚SW。

4.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，还包括：

上电复位电路（130），连接在所述计时控制模块（200）上，用于监控所述输入电压源（20）的输入引脚VIN上的电压，以确保当所述输入引脚VIN上的电压从接地电压转换为所述输入电压源（20）的电压时，逻辑正确复位。

5.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，还包括：

输入缓冲单元（140），连接在所述计时控制模块（200）和所述输入控制引脚SW之间，用于转换所述输入控制引脚SW上的电压，从而启动所述计时控制模块（200）。

6.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，所述转换速率控制模块（120）用于控制所述PMOS负载开关（100）的转换速率或上升时间，包括输入缓冲器（121）和反相器，所述输入缓冲器（121）连接在所述所述计时控制模块（200）和所述反相器之间。

7.根据权利要求6所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，所述反相器包括PMOS上拉晶体管（122）和NMOS下拉晶体管（123），所述PMOS上拉晶体管（122）的栅极和所述NMOS下拉晶体管（123）的栅极连接于所述输入缓冲器（121）的输出端，所述PMOS上拉晶体管（122）的漏极和所述NMOS下拉晶体管（123）的漏极连接于所述PMOS负载开关（100）的栅级，所述PMOS上拉晶体管（122）的源极连接于所述PMOS负载开关（100）的源级。

8.根据权利要求7所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，所述转换速率控制模块（120）还包括下拉电阻（124），所述NMOS下拉晶体管（123）的源极经由所述下拉电阻（124）接地，所述下拉电阻（124）用于控制所述PMOS负载开关（100）的栅极电压的转换率。

9.根据权利要求1所述的具有可配置定时器功能的超低静态电流智能开关，其特征在于，所述计时控制模块（200）包括振荡器（220）、计数器（230）和多个控制逻辑。