[发明专利]可流动性电介质层的稳定方法在审
| 申请号： | 202011201684.3 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112382604A | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 王莎莎;张富伟;袁智琦;陈东华 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 流动性 电介质 稳定 方法 | ||
1.一种可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、采用FCVD工艺形成可流动性电介质层；
步骤二、对所述可流动性电介质层进行固化工艺；
步骤三、将所述可流动性电介质层在臭氧气氛下进行稳定化作业，所述稳定化作业时间使所述可流动性电介质层的状态老化到稳定值。
2.如权利要求1所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：步骤三的所述稳定化作业在工艺腔中进行，所述臭氧在所述工艺腔中流动。
3.如权利要求1或2所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述可流动性介质层在所述固化工艺完成后还剩余有Si-H键，所述稳定化作业过程中，所述臭氧使剩余的Si-H键转换为Si-O键实现所述可流动性电介质层的状态老化。
4.如权利要求1或2所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述稳定化作业时间大于等于3小时。
5.如权利要求4所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：步骤三中，根据所述可流动性电介质层的折射率判断所述可流动性电介质层的状态是否老化到稳定值，当所述可流动性电介质层的折射率降到最低时，所述可流动性电介质层的状态老化到稳定值。
6.如权利要求1或2所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述可流动性电介质层的材料包括二氧化硅。
7.如权利要求1或2所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：步骤二中的所述固化工艺包括：紫外线固化，臭氧固化。
8.如权利要求1或2所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：步骤一中，所述可流动性电介质层形成于半导体衬底上。
9.如权利要求8所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。
10.如权利要求8所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述半导体衬底上具有凹槽结构，步骤一中，所述可流动性电介质层通过流动无缝隙填充在所述凹槽中。
11.如权利要求10所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述凹槽结构为浅沟槽，所述可流动性电介质层作为填充所述浅沟槽后作为浅沟槽隔离结构。
12.如权利要求10所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述凹槽结构为鳍体间的间隔区，所述可流动性电介质层作为所述鳍体的底部区域的隔离结构。
13.如权利要求10所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述凹槽结构为栅极结构之间的间隔区，所述可流动性电介质层作为层间膜的组成部分。
14.如权利要求10所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：在步骤三的所述稳定化作业之前，还包括对所述可流动性电介质层进行退火工艺。
15.如权利要求10所述的可流动性电介质层的稳定方法，其特征在于：所述退火工艺在所述固化工艺之前进行；或者，所述退火工艺在所述固化工艺之后进行。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
