[发明专利]改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法

权利要求书

1.一种改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于，第一离子注入工艺层的形成工艺包括如下步骤：

步骤一、提供需要进行离子注入的半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有场氧，所述场氧在所述半导体衬底中隔离出有源区，在所述有源区上形成有栅极结构，所述栅极结构的侧面形成有氮化硅侧墙；

步骤二、进行涂胶前预处理，所述涂胶前预处理采用合成气体或者采用合成气体和氮气的混合气体对所述半导体衬底表面进行处理；所述涂胶前预处理对所述氮化硅侧墙进行表面处理以防止所述氮化硅侧墙的氮化硅材料对后续光刻胶造成氮中毒，同时，所述涂胶前预处理还对所述有源区和所述场氧进行表面处理以防止光刻中所述有源区和所述场氧的光发射率不同而使光刻胶产生底部缺角；

步骤三、进行光刻工艺，包括光刻胶的涂胶、曝光和显影工艺，显影后形成光刻胶图形，所述光刻胶图形将离子注入区域打开；

步骤四、进行所述离子注入，在所述离子注入区域中，所述离子注入以所述侧墙为自对准边界；

步骤五、去除所述光刻胶图形。

2.如权利要求1所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述半导体衬底包括硅衬底。

3.如权利要求2所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述场氧采用浅沟槽隔离工艺形成。

4.如权利要求1所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述栅极结构由栅介质层和栅极导电材料层叠加而成。

5.如权利要求4所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述栅介质层采用二氧化硅层或者所述栅介质层采用高介电常数层。

6.如权利要求4或5所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述栅极导电材料层包括多晶硅栅。

7.如权利要求1或2所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述离子注入为轻掺杂漏注入、晕环注入和源漏注入中的一个。

8.如权利要求1或2所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：在所述半导体衬底上包括SRAM的形成区域，所述SRAM的形成区域的离子注入采用所述第一离子注入工艺层的形成工艺实现。

9.如权利要求8所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：在所述半导体衬底上还包括逻辑器件的形成区域；所述逻辑器件的形成区域的所述有源区和所述场氧的表面平坦性好于所述SRAM的形成区域的所述有源区和所述场氧的表面平坦性。

10.如权利要求9所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述逻辑器件的形成区域的离子注入采用所述第一离子注入工艺层的形成工艺实现。

11.如权利要求9所述的改善离子注入光刻层光刻胶形貌的方法，其特征在于：所述逻辑器件的形成区域的离子注入放置在所述SRAM的形成区域的离子注入之前完成；

所述逻辑器件的形成区域的离子注入采用第二离子注入工艺层的形成工艺实现，所述第二离子注入工艺层和所述第一离子注入工艺层的工艺步骤的区别之处为：

所述第二离子注入工艺层的形成工艺的步骤一至步骤四和所述第一离子注入工艺层的形成工艺的步骤一至步骤四相同；

所述第二离子注入工艺层的形成工艺的步骤五的去除所述光刻胶图形的工艺设置为：采用所述合成气体或者采用合成气体和氮气的混合气体去除所述光刻胶图形；

同时，所述逻辑器件的形成区域的离子注入完成后，进行所述SRAM的形成区域的离子注入时省略步骤二。