[发明专利]一种二氧化硅刻蚀工艺方法在审

专利信息
申请号: 202011202119.9 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN112429738A 公开(公告)日: 2021-03-02
发明(设计)人: 吴晓林;刘红亮;殷鹏刚;陈华祥;刘彩艳 申请(专利权)人: 山东联科科技股份有限公司
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12;C25F3/02;B82Y40/00
代理公司: 北京翔石知识产权代理事务所(普通合伙) 11816 代理人: 李勇
地址: 262514 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 二氧化硅 刻蚀 工艺 方法
【权利要求书】:

1.一种二氧化硅刻蚀工艺方法,其特征在于:所述的刻蚀工艺方法以离子液体为媒介,对二氧化硅进行电解刻蚀,制备得到多孔二氧化硅。

2.根据权利要求1所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述的刻蚀工艺方法具体包括以下步骤:

(1)将二氧化硅以及离子液体加入电解槽中;

(2)通入电流,进行电解操作;

(3)电解反应结束后,将生成的多孔二氧化硅产品进行洗涤、烘干,得到最终产品。

3.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述二氧化硅的加入量为离子液体质量的10-40%。

4.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述的离子液体为四氟硼酸盐水溶液或六氟磷酸盐水溶液。

5.根据权利要求4所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述的离子液体为1-丁基-3-甲基咪唑四氟硼酸盐水溶液或1-丁基-3-甲基咪唑六氟磷酸盐水溶液。

6.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述离子液体的浓度质量分数为1-2%。

7.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述二氧化硅为粒状,目数为150-300目。

8.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述步骤(2)中,电流密度为8-24mA/cm2,电解时间为4-6h。

9.根据权利要求1或2所述的刻蚀工艺方法,其特征在于:所述步骤(3)中,洗涤溶液为去离子水,烘干温度为100℃-120℃,烘干时间为2-3h。

10.一种抗菌过滤片的制备方法,包含如权利要求1-9任一项所述的多孔二氧化硅,其特征在于:所述制备方法包括以下步骤:

(1)首先将冰醋酸水溶液与壳聚糖混匀制备成壳聚糖-醋酸溶液,再将壳聚糖-醋酸溶液与3-缩水甘油醚三甲氧基硅烷混合搅拌后过夜,取多孔二氧化硅粉末加入过夜的溶液中,搅拌离心,再使用超纯水冲洗,得到壳聚糖-多孔二氧化硅复合材料;

(2)将步骤(1)中制备的壳聚糖-多孔二氧化硅复合材料加水配制浓度为100g/L溶液,与无纺布进行浸渍复合,将复合样品进行预烘、烘焙处理,再通过紫外光固化,制备得到抗菌过滤片。

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