[发明专利]三维存储器结构及其制备方法

权利要求书

1.一种三维存储器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

提供半导体衬底；

于所述半导体衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括相邻的核心区域及台阶区域；

对所述台阶区域进行刻蚀，以形成N个子台阶区，且各所述子台阶区环绕一台阶中心布置，其中，对于每一所述子台阶区，形成若干个不同级数的台阶，N个所述子台阶区形成M级数台阶，N为大于等于3的整数，M为大于等于3的整数；

其中，所述台阶区域中还形成有中心连接区和桥接区，所述中心连接区构成所述台阶中心，所述桥接区和所述子台阶区共同环绕所述中心连接区布置，所述桥接区实现各所述子台阶区与所述核心区域的电连接。

2.根据权利要求1所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，刻蚀所述台阶区域包括：

对所述台阶区域进行第一刻蚀，以形成相对的第一子台阶区及第二子台阶区；

对所述台阶区域进行第二刻蚀，以形成相对的第三子台阶区及第四子台阶区，所述第三子台阶区和所述第四子台阶区分别对应位于所述第一子台阶区和第二子台阶区同侧；

重复上一步刻蚀步骤，直至形成第N-1个所述子台阶区；

对所述台阶区域进行第(N+1)/2刻蚀，以形成第N子台阶区，且与所述第N子台阶区相对的所述台阶区域构成所述桥接区，其中N为奇数；以及

对所述第N子台阶区一侧的所有所述子台阶区进行共刻蚀，以得到所述M级数台阶。

3.根据权利要求2所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，进行所述共刻蚀之前，每一刻蚀步骤刻蚀的台阶级数依次递增；进行所述共刻蚀时，进行刻蚀的区域为与所述第N子台阶区相邻的子台阶区中，与所述第N子台阶区的级数相差较大者的一侧，以形成递变环形子台阶区。

4.根据权利要求2所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，进行所述共刻蚀之后还包括修饰刻蚀，所述修饰刻蚀的步骤包括：对每一所述子台阶区的所述叠层结构进行刻蚀，以形成台阶级数自上而下递增的台阶，且不同所述子台阶区中台阶的台阶级数均不同，经过所述修饰刻蚀后得到所述M级数台阶。

5.根据权利要求1所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，对于每一所述子台阶区，台阶级数自上而下递增；所述核心区域环绕所述台阶区域设置。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，各所述子台阶区通过所述中心连接区与所述桥接区电连接，以实现各台阶与所述核心区域的电连接。

7.根据权利要求6所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，所述中心连接区的横截面形状为圆形，各所述子台阶区的横截面形状为扇形，所述桥接区的横截面形状为扇形，所述桥接区和所述子台阶区共同环绕所述中心连接区布置。

8.根据权利要求6所述的三维存储器结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在相邻的所述子台阶区之间以及所述子台阶区与所述桥接区之间形成栅极缝隙的步骤。

9.一种三维存储器结构，其特征在于，所述三维存储器结构包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底上的叠层结构，所述叠层结构包括相邻的核心区域及台阶区域；

形成在所述台阶区域中的N个子台阶区，且各所述子台阶区环绕一台阶中心布置，其中，对于每一所述子台阶区，形成若干个不同级数的台阶，N个所述子台阶区形成M级数台阶，N为大于等于3的整数，M为大于等于3的整数；以及

形成在所述台阶区域中的中心连接区和桥接区，所述中心连接区构成所述台阶中心，所述桥接区和所述子台阶区共同环绕所述中心连接区布置，所述桥接区实现各所述子台阶区与所述核心区域的电连接。

10.根据权利要求9所述的三维存储器结构，其特征在于，不同所述子台阶区中台阶的台阶级数均不同，各所述子台阶区为递变环形子台阶区。