[发明专利]气体传感器及其制备方法、气体浓度检测方法

权利要求书

1.一种基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在透明衬底上制作形成防团聚层；

在所述防团聚层上制作形成双荧光量子点层，其中，所述双荧光量子点层由双荧光量子点构成，所述双荧光量子点包括载体颗粒、位于所述载体颗粒的内部的第一荧光量子点和位于所述载体颗粒的表面的第二荧光量子点，所述第一荧光量子点的波长与所述第二荧光量子点的波长不同。

2.根据权利要求1所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述在透明衬底上制作形成防团聚层的方法为：

在透明衬底上涂覆聚乙烯醇和二氧化硅的混合溶液或者在透明衬底上依次涂覆聚乙烯醇溶液和二氧化硅溶液，进行真空干燥处理，形成所述防团聚层。

3.根据权利要求1所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述在透明衬底上制作形成防团聚层的方法为：

在透明衬底上涂覆聚乙烯醇溶液以形成聚乙烯醇层；

在所述聚乙烯醇层上涂覆二氧化硅溶液，形成二氧化硅阵列层，所述聚乙烯醇层和所述二氧化硅阵列层共同构成防团聚层。

4.根据权利要求2或3所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，在所述防团聚层上制作形成荧光量子点层的方法为：

在所述防团聚层上涂覆双荧光量子点溶液，并进行干燥处理，形成双荧光量子点层。

5.根据权利要求1所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述载体颗粒为二氧化硅颗粒，所述第一荧光量子点的荧光波长与所述第二荧光量子点的荧光波长的差值大于50nm。

6.根据权利要求5所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述第一荧光量子点与所述第二荧光量子点的直径范围为1nm～6nm，所述载体颗粒的直径范围为1μm～10μm。

7.根据权利要求5所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述第一荧光量子点和所述第二荧光量子点均为氨基修饰的量子点。

8.根据权利要求2或3所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法，其特征在于，所述防团聚层厚度为5微米至20微米。

9.一种基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器，其特征在于，根据权利要求1至8任一项所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法制作形成。

10.一种气体浓度检测方法，其特征在于，所述气体浓度检测方法包括：

将根据权利要求1至8任一项所述的基于比率荧光纳米复合薄膜的气体传感器的制备方法制作形成的气体传感器置于待检测气体中；

利用激光同时激发所述第一荧光量子点和所述第二荧光量子点，以分别产生第一荧光和第二荧光；

检测所述第一荧光和所述第二荧光的光强，并根据所述第一荧光和所述第二荧光的光强的比值计算得到待检测气体的浓度值。