[发明专利]一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法有效

专利信息
申请号: 202011203718.2 申请日: 2020-11-02
公开(公告)号: CN112329167B 公开(公告)日: 2022-06-17
发明(设计)人: 樊炜;张林;黄文;张云飞;刘军;周涛;李凯隆;郑永成;陈立;田东;张建飞 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
主分类号: G06F30/17 分类号: G06F30/17;G06F30/25;G06F30/27;B24B1/00
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 胡晓丽
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 曲率 浸入 深度 流变 抛光 去除 函数 演绎 方法
【权利要求书】:

1.一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1.在给定的工艺参数条件下,在平面和各个不同曲率的球面工件上分别采集不同浸深的抛光斑,获取实验去除函数;

S2.利用基于Bezier样条的磁流变抛光去除函数参数化模型,以实际去除函数与参数化模型的轮廓误差为目标,采用粒子群优化算法计算各实验去除函数对应的形态系数,获得去除函数形态系数;

S3.以某个浸深的平面斑为基准斑,建立不同曲率和浸深下的去除函数形态系数相对于基准斑形态系数的对应关系,得到去除函数标准化形态系数;

S4.建立磁流变抛光去除函数形态系数关于曲率和浸深的变化规律函数;

S5.根据磁流变抛光去除函数形态系数变化规律函数,构建曲率效应下磁流变抛光去除函数反求演绎模型,求解曲率和浸深对应的去除函数。

2.根据权利要求1所述的一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,步骤S2包括:

将不同曲率km的球面工件上以不同浸深dn采集的去除函数记为Rmn,其中m=0…M-1,n=0…N-1;

利用基于Bezier样条的磁流变抛光去除函数参数化模型重构实验采集的去除函数Rmn,以实际去除函数与参数化模型的轮廓误差为目标,采用粒子群优化算法求解各去除函数Rmn对应的形态系数,将拟合后的去除函数形态系数进行保存。

3.根据权利要求2所述的一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,每个去除函数的形态系数有12项,包括:峰去除率Pr,长轴头部长度占比k,去除函数边界控制参数α、β,去除函数形状长宽度特征参数L、W,长轴头部控制参数λ1、λ2,长轴尾部控制参数λ3、λ4和归一化短轴控制参数是C1、C2;记S=(λ1234,C1,C2,α,β,Pr,k,W,L)。

4.根据权利要求2或3所述的一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,步骤S3包括:各个去除函数Rmn的形态系数记为Sim,dn),i=1…12,共12项系数;将浸深d0下的平面斑作为基准,其形态系数记为Si(0,d0),以Si(0,d0)作为基准形态系数,计算各个去除函数的标准化形态系数:

5.根据权利要求4所述的一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,步骤S4中,建立磁流变抛光去除函数标准化形态系数关于曲率和浸深的变化规律函数的操作包括:对于不同浸深dn、曲率κm下的标准化形态系数fi*m,dn),利用非均匀有理B样条曲面拟合技术得到标准化形态系数关于曲率κ和浸深d两变量的变化规律函数,记为fi(κ,d),i=1…12。

6.根据权利要求5所述的一种基于曲率和浸入深度的磁流变抛光去除函数演绎方法,其特征在于,步骤S5中,构建曲率效应下磁流变抛光去除函数反求演绎模型包括以下步骤:

S51.在与获取变化规律函数fi(κ,d)的实验相同的工艺参数下,采集浸深为d0的平面抛光斑;

S52.基于Bezier样条的磁流变抛光去除函数参数化模型处理步骤S51的平面抛光斑,获取对应的形态系数

S53.将给定的曲率κ和浸深d带入获得当前工况条件下的去除函数形态系数

S54.将得到的12项形态系数导入到去除函数参数化模型中,求解得到当前工况下的给定曲率κ、浸深d下的去除函数

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