[发明专利]一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法有效
申请号: | 202011203903.1 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112309834B | 公开(公告)日: | 2021-06-29 |
发明(设计)人: | 杨雪松 | 申请(专利权)人: | 江苏纳沛斯半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/60 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 李青 |
地址: | 223000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 驱动 显示 芯片 偏移 金凸块 处理 方法 | ||
本发明属于芯片金凸块制作技术领域,公开了一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法,包括如下步骤:S1.预处理:S11.取一带有偏移金凸块的问题晶圆,并在问题晶圆上表面形成一层光刻胶层,所述光刻胶层覆盖问题晶圆上表面和偏移金凸块上表面;S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层进行表面蚀刻,露出部分偏移金凸块;S2.蚀刻处理:S21.将预处理后的问题晶圆放入金蚀刻液中进行蚀刻,完全除去所述偏移金凸块;S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层;S23.采用双氧水去除所述偏移金凸块底部的金属化层,且金属化层为溅镀钛钨层;S3.对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行金凸块生长的重新作业;综上,能有效去除问题晶圆中的偏移金凸块,并不损伤其中的铝。
技术领域
本发明属于芯片金凸块制作技术领域,具体涉及一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法。
背景技术
目前,随着京东方的崛起,显示面板产业链目前在逐渐向中国大陆转移,而基于显示面板驱动的像素点较多、电流较大的特性,其对应的面板驱动芯片主要由金凸块制作。
在进行驱动芯片的大批量生产过程中,因晶圆背面有particle(颗粒)或者校准偏移的问题,容易导致曝光偏移,进而导致后续电镀时金凸块出现生长偏移,由此使得芯片底部的铝(Al)裸露出来,使得产品可靠性会大幅降低,并且后续上面板时还会有校准偏差的风险。
在现有技术中,对于上述出现金凸块偏移的驱动芯片,大多采用返工处理,并通过返工处理去除偏移的金凸块,然后重新执行金凸块的准确生长。但是,金是一种非常稳定的金属,因此在进行偏移金凸块的蚀刻时极易对其所暴露的铝造成损伤,从而造成返工处理失败。
发明内容
鉴于此,为解决上述背景技术中所提出的在蚀刻偏移金凸块时会对驱动芯片中的铝层造成损伤的问题,本发明的目的在于提供一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法。
为实现上述目的,本发明提供如下技术方案:一种驱动显示芯片中偏移金凸块的处理方法,包括如下步骤:
S1.取一带有偏移金凸块的问题晶圆,并对所述问题晶圆进行预处理:
S11.取一带有偏移金凸块的问题晶圆,并在所述问题晶圆上表面形成一层光刻胶层,所述光刻胶层覆盖问题晶圆上表面和偏移金凸块上表面;
S12.采用干法蚀刻工艺对光刻胶层进行表面蚀刻,露出部分偏移金凸块;
S2.对预处理后的所述问题晶圆进行蚀刻处理:
S21.将预处理后的问题晶圆放入金蚀刻液中进行蚀刻,完全除去所述偏移金凸块;
S22.使用胶液洗去剩余光刻胶层;
S23.采用双氧水去除所述偏移金凸块底部的金属化层,且所述金属化层为溅镀钛钨层;
S3.对蚀刻处理后的所述问题晶圆进行金凸块生长的重新作业。
优选的,在所述步骤S11中,所述光刻胶层覆盖偏移金凸块上表面的覆盖厚度控制在2-4um。
优选的,所述光刻胶层为负性PI光刻胶层。
优选的,所述负性PI光刻胶层由HD4100-PI负性光刻胶涂布形成。
优选的,在所述步骤S12中,所述光刻胶层蚀刻后露出偏移金凸块的高度控制在2-3um。
优选的,在所述步骤S21中,所述金蚀刻液采用碘与碘化钾的混合溶液。
优选的,在所述步骤S22中,所述胶液中包含氧化保护剂和四甲基氢氧化铵,且所述氧化保护剂用于保护问题晶圆中的金属布线层。
优选的,所述四甲基氢氧化铵在胶液中的质量占比不超过1%,所述金属布线层的材料为铝。
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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