[发明专利]利用表面保护物质的薄膜形成方法有效

申请号：	202011203995.3	申请日：	2020-11-02
公开（公告）号：	CN112779520B	公开（公告）日：	2023-05-12
发明（设计）人：	李根守;金才玟;金荷娜;崔雄辰;郑恩爱;李东炫;李明洙;文志原;张东学;鲁贤植	申请（专利权）人：	株式会社EGTM;爱思开海力士有限公司
主分类号：	C23C16/455	分类号：	C23C16/455
代理公司：	北京纽盟知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11456	代理人：	许玉顺;金珍花
地址：	韩国京畿道水原市***	国省代码：	暂无信息
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摘要：
搜索关键词：	利用表面保护物质薄膜形成方法
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【说明书】：

本发明涉及薄膜形成方法，更详细地涉及利用表面保护物质的薄膜形成方法。根据本发明的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体，将金属前驱体吸附于所述基板；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质，与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜。该方法在所述薄膜形成步骤之前，还包括：供给所述表面保护物质而吸附于所述基板的表面保护物质供给步骤；以及净化所述腔体内部的步骤。

技术领域

本发明涉及薄膜形成方法，更详细地涉及利用表面保护物质的薄膜形成方法。

背景技术

在半导体工艺领域，蒸镀工序是在基板上蒸镀物质的重要的工序，随着电子设备的外形持续缩小且器件的密集度增加，沟槽的纵横比日益增加。因此，台阶覆盖良好的工序受到瞩目，尤其原子层蒸镀(ALD)非常受关注。

原子层沉积(ALD)工序期间，依次向装载基板的工序腔供给反应气体，第一反应气体供给到工序腔并吸附于基板的表面。第二反应气体供给到工序腔，与通过第一种反应气体吸附的物质反应而形成蒸镀物质。

在先技术文献

专利文献

专利文献0001：韩国公开发明专利公报2007-0015958号(2007.02.06.)

发明内容

所要解决的课题

本发明的目的在于，提供一种可形成台阶覆盖良好的薄膜的方法。

本发明的其它目的在于，提供一种可以大幅改善可进行原子层沉积工序的温度范围的薄膜形成方法。

本发明的其它目的将通过下面的详细说明会变得更加清楚。

课题解决方案

根据本发明的一实施例，利用表面保护物质的薄膜形成方法，其特征在于，包括：金属前驱体供给步骤，向放置基板的腔体内部供给金属前驱体，将所述金属前驱体吸附于基板；净化所述腔体内部的步骤；及薄膜形成步骤，向所述腔体内部供给反应物质，与被吸附的所述金属前驱体反应并形成薄膜；该方法在所述薄膜形成步骤之前还包括：供给所述表面保护物质而吸附于所述基板的表面保护物质供给步骤；以及净化所述腔体内部的步骤。

所述表面保护物质可以用下述化学式1表示。

化学式1

所述化学式1中，n＝1、2，X＝CH₂、0、S、NH，R＝从碳原子数为1至5的烷基中选择。

所述表面保护物质可以用下述化学式2表示。

化学式2

所述化学式2中，n＝1、2，X＝CH₂、0、S、NH，R＝从碳原子数为1至5的烷基中选择。

所述表面保护物质可以用下述化学式3表示。

化学式3

所述表面保护物质可以用下述化学式4表示。

化学式4

所述反应物质可以是O₃、O₂、H₂O中的某一个。

所述金属前驱体可以是包括以下金属中一个以上的化合物：包括Al的三价金属，包括Zr及Hf的四价金属，包括Nb及Ta的五价金属。