[发明专利]氮化镓半导体器件

说明书

本发明提供一种氮化镓半导体器件，氮化镓半导体器件包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件；栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着第二方向布置，第二方向垂直于第一方向，每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间；源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置，源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间；栅极总线沿着第二方向延伸，多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接，多个源极触件均与源极焊盘连接，多个漏极触件均与漏极焊盘连接；位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。该氮化镓半导体器件内部温度分布均匀。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地说，是涉及一种氮化镓半导体器件。

背景技术

氮化镓半导体器件在功率放大领域具有非常广泛的应用前景，如图1所示，现有的氮化镓半导体器件的栅极指状部长度相等，功率密度高，结温高且不均衡，多个栅极指状部之间互相加热，使得氮化镓半导体器件中心温度高，四周温度低，中心的高温区限制了功率的输出，导致了氮化镓半导体器件性能下降、寿命缩短。

发明内容

本发明的目的是提供一种器件内部温度分布均匀的氮化镓半导体器件。

为实现上述第一目的，本发明提供一种氮化镓半导体器件，包括源极焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、栅极总线、多个栅极指状部、多个源极触件和多个漏极触件；栅极指状部、源极触件和漏极触件均沿着第一方向延伸并沿着第二方向布置，第二方向垂直于第一方向，每个栅极指状部位于相邻的源极触件和漏极触件之间；源极焊盘和漏极焊盘沿着第一方向布置，源极触件和漏极触件均位于源极焊盘和漏极焊盘之间；栅极总线沿着第二方向延伸，多个栅极指状部通过栅极总线与栅极焊盘连接，多个源极触件均与源极焊盘连接，多个漏极触件均与漏极焊盘连接；位于第二方向中部的栅极指状部的长度小于位于第二方向两端的栅极指状部的长度。

由上述方案可见，通过将栅极指状部改为非等长，且两侧长中间短的结构，从而缩短中心热源，加长两侧热源，充分利用氮化镓半导体器件有源区边缘的热扩散面积，平衡器件内部有源区的温度，使氮化镓半导体器件结温均衡，同时可以有效降低结温。

一个优选的方案是，沿着第二方向，栅极指状部的长度先逐渐减小后逐渐增大。

进一步的方案是，在第二方向的中点位置的栅极指状部的长度最短。

由此可见，这样可以保证位于中心位置的栅极指状部的长度最短，位于两端的栅极指状部的长度最长，从而进一步提高氮化镓半导体器件结温均衡性。

一个优选的方案是，源极焊盘的横截面呈三角形。

进一步的方案是，源极焊盘的横截面呈等腰三角形。

一个优选的方案是，漏极焊盘的横截面呈三角形。

进一步的方案是，漏极焊盘的横截面呈等腰三角形。

再进一步的方案是，栅极总线连接在栅极指状部靠近漏极焊盘的一端，栅极总线包括相连接的第一折弯段和第二折弯段，第一折弯段和第二折弯段分别平行于等腰三角形的两条腰。

一个优选的方案是，多个栅极指状部等间距布置。

附图说明

图1是本发明氮化镓半导体器件沿竖直方向的截面图。

图2是本发明氮化镓半导体器件中金属走线的示意图。

以下结合附图及实施例对本发明作进一步说明。

具体实施方式