[发明专利]半导体工艺设备及其法拉第杯

权利要求书

1.一种半导体工艺设备的法拉第杯，其特征在于，包括：杯体(100)、杯口组件(200)以及电源部(390)，其中，

所述杯口组件(200)设置在所述杯体(100)的杯口上，所述杯口组件(200)包括：

第一电极层(210)，位于在所述杯口的上方；

第二电极层(220)，位于所述第一电极层(210)的上方，与所述第一电极层(210)绝缘；

其中，所述第一电极层(210)和第二电极层(220)开设有对应设置的通孔(230)；

所述电源部(390)用于向所述第一电极层(210)施加第一负脉冲偏压，并向所述第二电极层(220)施加第二负脉冲偏压，其中，所述第一负脉冲偏压和第二负脉冲偏压具有相同的相位，且所述第一负脉冲偏压的偏压值大于所述第二负脉冲偏压的偏压值。

2.根据权利要求1所述的法拉第杯，其特征在于，所述电源部(390)还用于向所述杯体(100)施加第三负脉冲偏压，其中，所述第三负脉冲偏压、第一负脉冲偏压和第二负脉冲偏压具有相同相位，且所述第三负脉冲偏压的偏压值小于所述第一负脉冲偏压的偏压值和第二负脉冲偏压的偏压值，所述杯体(100)与所述第一电极层(210)绝缘。

3.根据权利要求2所述的法拉第杯，其特征在于，所述第一电极层(210)与所述杯体(100)之间、所述第一电极层(210)和第二电极层(220)之间、所述第二电极层(220)远离所述第一电极层(210)的一侧均设置有绝缘层(240)，所述绝缘层(240)均开设有与所述第一电极层(210)和第二电极层(220)的通孔(230)对应设置的通孔(230)。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的法拉第杯，其特征在于，所述杯体(100)的内壁设置有保护层(110)。

5.根据权利要求1-3任意一项所述的法拉第杯，其特征在于，所述通孔(230)具有多个，所述通孔(230)的直径为0.5mm-2mm。

6.根据权利要求5所述的法拉第杯，其特征在于，多个所述通孔(230)的开口面积之和占所述杯体(100)的杯口面积的0.4％-2％。

7.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括：工艺腔室(300)；所述工艺腔室(300)内设置有用于承载晶圆的承载部(500)，所述工艺腔室(300)内还设置有固定安装部(400)，所述固定安装部(400)设置有绕所述承载部(500)设置的容置槽(410)，如权利要求1-6任意一项所述的法拉第杯设置在所述容置槽(410)内。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺设备，其特征在于，还包括聚焦环(430)，所述聚焦环(430)将所述固定安装部(400)的侧壁和所述固定安装部(400)开设所述容置槽(410)的端面包覆，所述聚焦环(430)开设有与所述第一电极层(210)和第二电极层(220)的通孔(230)对应设置的通孔(230)。

9.根据权利要求7或8所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述固定安装部(400)和所述杯体(100)为陶瓷一体结构。

10.根据权利要求9所述的半导体工艺设备，其特征在于，所述杯口组件(200)的上端面与所述固定安装部(400)的上端面平齐。