[发明专利]一种BiVO4

权利要求书

1.一种BiVO₄/MnOOH薄膜电极，包括BiVO₄薄膜基底和负载在所述BiVO₄薄膜基底表面的MnOOH层；

所述的BiVO₄/MnOOH薄膜电极的制备方法，包括以下步骤：

（1）提供BiVO₄薄膜电极；

（2）以氯化锰溶液为电解液，采用三电极系统进行光电沉积，所述三电极系统中的工作电极为所述BiVO₄薄膜电极，得到BiVO₄/MnOOH薄膜电极；

所述BiVO₄薄膜电极的制备方法包括以下步骤：

（1）将可溶性铋源与柠檬酸水溶液混合，得到铋源柠檬酸混合液；

将所述铋源柠檬酸混合液涂覆在FTO玻璃表面，进行第一煅烧，在FTO玻璃表面得到氧化铋薄膜电极；

（2）将乙酰丙酮氧钒与非质子溶剂混合，得到乙酰丙酮氧钒溶液；

将所述乙酰丙酮氧钒溶液涂覆在所述氧化铋薄膜电极表面，依次进行第二煅烧和碱液浸泡，得到BiVO₄薄膜电极。

2.根据权利要求1所述的BiVO₄/MnOOH薄膜电极，其特征在于，所述BiVO₄薄膜基底的厚度为1~300μm；所述MnOOH层的厚度为1~50μm。

3.权利要求1或2所述的BiVO₄/MnOOH薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）提供BiVO₄薄膜电极；

（2）以氯化锰溶液为电解液，采用三电极系统进行光电沉积，所述三电极系统中的工作电极为所述BiVO₄薄膜电极，得到BiVO₄/MnOOH薄膜电极；

所述BiVO₄薄膜电极的制备方法包括以下步骤：

（1）将可溶性铋源与柠檬酸水溶液混合，得到铋源柠檬酸混合液；

将所述铋源柠檬酸混合液涂覆在FTO玻璃表面，进行第一煅烧，在FTO玻璃表面得到氧化铋薄膜电极；

（2）将乙酰丙酮氧钒与非质子溶剂混合，得到乙酰丙酮氧钒溶液；

将所述乙酰丙酮氧钒溶液涂覆在所述氧化铋薄膜电极表面，依次进行第二煅烧和碱液浸泡，得到BiVO₄薄膜电极。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述三电极系统中的参比电极为氯化银电极，对电极为铂网电极，光源为模拟太阳光。

5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氯化锰溶液的摩尔浓度为0.1~1mol/L。

6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述光电沉积为恒电流沉积，所述光电沉积的电流密度为1~50μA/cm²，沉积时间为5~60min。

7.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述可溶性铋源为硝酸铋、氯化铋和硫酸铋中的一种或几种；

所述柠檬酸水溶液的摩尔浓度为0.1~1mol/L；所述铋源柠檬酸混合液中铋源的摩尔浓度为0.01~1mol/L；所述铋源柠檬酸混合液涂覆在FTO玻璃表面的涂覆量为40~80μL/cm²；所述第一煅烧的温度为500~650℃，时间为1~6h。

8.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述非质子溶剂为二甲基亚砜；所述乙酰丙酮氧钒溶液的摩尔浓度为0.3~1mol/L；所述乙酰丙酮氧钒溶液在氧化铋薄膜电极表面的涂覆量为60~120μL/cm²；所述第二煅烧的温度为400~600℃，时间为1~6h；所述碱液为1mol/L的氢氧化钠溶液，所述碱液浸泡的时间为20~60min。

9.权利要求1或2所述BiVO₄/MnOOH薄膜电极在光生阴极防腐中的应用。