[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
申请号: | 202011204958.4 | 申请日: | 2020-11-02 |
公开(公告)号: | CN112420739A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 罗传宝;卢马才 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/15;H01L33/48;H01L33/62;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 李新干 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 及其 制备 方法 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括:
衬底层;
第一金属层,位于所述衬底层之上,包括源极和漏极;
热氧化保护层,位于所述第一金属层之上;
缓冲层,位于所述衬底层之上,且覆盖所述热氧化保护层,所述缓冲层上形成有第一过孔和第二过孔;
有源层,位于所述缓冲层之上,且通过所述第一过孔与所述源极相连,通过所述第二过孔与所述漏极相连;
栅绝缘层,位于所述有源层和所述缓冲层之上;以及
第二金属层,位于所述栅绝缘层之上,包括栅极和栅线。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一金属层的材料为钼、钼/铜、或钼钛合金/铜。
3.如权利要求2所述的显示面板,其特征在于,所述热氧化保护层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:
第一钝化层,位于所述缓冲层之上,且覆盖所述第二金属层和所述有源层,所述第一钝化层上形成有第三过孔和第四过孔;
电极层,位于所述第一钝化层之上,包括像素电极和覆晶薄膜绑定端子,所述像素电极通过所述第三过孔与所述有源层相连,所述覆晶薄膜绑定端子通过所述第四过孔与所述栅线相连;
LED芯片绑定端子,位于所述像素电极之上;
第二钝化层,位于所述第一钝化层和所述LED芯片绑定端子之上;
遮光层,位于所述第二钝化层之上;以及
LED芯片,位于所述LED芯片绑定端子之上,且对应于所述第三过孔设置。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述LED芯片绑定端子的材料为铜、或铜/钼。
6.一种显示面板的制备方法,其特征在于,包括步骤:
提供一衬底层;
在所述衬底层之上制备第一金属层;
在所述第一金属层之上制备热氧化保护层;
将所述第一金属层和所述热氧化保护层图案化,形成源极和漏极;
在所述衬底层之上制备缓冲层,所述缓冲层覆盖所述热氧化保护层;
将所述缓冲层图案化,形成分别对应所述源极和所述漏极的第一过孔和第二过孔;
在所述缓冲层之上制备有源层,所述有源层通过所述第一过孔与所述源极相连,通过所述第二过孔与所述漏极相连;
在所述有源层和所述缓冲层之上制备栅绝缘层;
在所述栅绝缘层之上制备第二金属层;以及
将所述第二金属层和所述栅绝缘层图案化,形成栅极和栅线。
7.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第一金属层的材料为钼、钼/铜、或钼钛合金/铜。
8.如权利要求7所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述热氧化保护层的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。
9.如权利要求6所述的显示面板的制备方法,其特征在于,还包括步骤:
在所述缓冲层、所述有源层、以及所述第二金属层之上制备第一钝化层;
将所述第一钝化层图案化,形成第三过孔和第四过孔;
在所述第一钝化层之上制备电极层,将所述电极层图案化形成像素电极和覆晶薄膜绑定端子,所述像素电极通过所述第三过孔与所述有源层相连,所述覆晶薄膜绑定端子通过所述第四过孔与所述栅线相连;
在所述像素电极之上制备LED芯片绑定端子;
在所述第一钝化层和所述LED芯片绑定端子之上制备第二钝化层;
在所述第二钝化层之上制备图案化遮光层;
以所述图案化遮光层为光罩将所述第二钝化层图案化;以及
在所述LED芯片绑定端子之上且对应于所述第三过孔处绑定LED芯片。
10.如权利要求9所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述LED芯片绑定端子的材料为铜、或铜/钼。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的