[发明专利]一种低压低温单片式工艺外延机台在审
| 申请号： | 202011206043.7 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112133656A | 公开（公告）日： | 2020-12-25 |
| 发明（设计）人： | 郑锦 | 申请（专利权）人： | 南京原磊纳米材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京专赢专利代理有限公司 11797 | 代理人： | 于刚 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 低压 低温 单片 工艺 外延 机台 | ||
1.一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，包括：
石英反应腔，在石英反应腔四周加设有多组反射板，而反射板利用上下包围分布在石英反应腔四周的环形的加热灯泡组对石英反应腔加热，其中，加热灯泡组中包含有环形灯丝；
以及，反射板利用其表面铺设有的反射涂层对加热灯泡组发出的热量进行反射，并把热量全覆盖无死角集中至石英反应腔中。
2.根据权利要求1所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述加热灯泡组为呈环形的红外加热灯泡。
3.根据权利要求1所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，
所述加热灯泡组在反射板内部加装有多组；
且反射板表面铺设有的反射涂层为放射镀金板层。
4.根据权利要求3所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述反射板外部加装有多个测温仪。
5.根据权利要求4所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述测温仪为非接触式红外测温仪，并通过石英件监控部件的温度。
6.根据权利要求1所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述石英反应腔上加装有用于冷却的冷却风循环冷却系统，并利用冷却风循环冷却系统对加热灯泡组和石英反应腔进行冷却，延长加热灯泡组的寿命和控制石英反应腔的温度。
7.根据权利要求6所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述冷却风循环冷却系统在石英反应腔上开设有冷却通道、进气口和出风口。
8.根据权利要求1-7任一所述的一种低压低温单片式工艺外延机台，其特征在于，所述反射板包括反射板Ⅰ和反射板Ⅱ，反射板Ⅰ和反射板Ⅱ呈对称分布。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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