[发明专利]一种写入电压可调的非易失性阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202011206255.5 | 申请日： | 2020-11-02 |
| 公开（公告）号： | CN112382722B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 刘举庆;聂毅杰;李银祥 | 申请（专利权）人： | 南京工业大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 朱少华 |
| 地址： | 210000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 写入 电压 可调 非易失性阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种写入电压可调的非易失性阻变存储器，其特征在于，存储器件包括衬底、底电极、阻变功能层和顶电极；所述阻变功能层为表面含纳米孔洞且孔洞尺寸可调的有机聚合物薄膜；通过对阻变功能层薄膜表面纳米孔洞尺寸的调控，实现对存储器写入电压的精确调控；将聚合物的混合溶液旋涂于底电极上，然后置于环己烷溶剂中刻蚀，可得到表面含纳米孔洞的阻变功能层薄膜；通过控制旋涂仪的转数来实现对阻变功能层薄膜表面纳米孔洞尺寸的调控；所述聚合物的混合溶液为聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液与聚苯乙烯(PS)溶液的混合溶液。
2.根据权利要求1所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，包括如下步骤：
a)Glass衬底/ITO 底电极的清洁处理；
b)阻变功能层制备：采用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)溶液与聚苯乙烯(PS)溶液，以旋涂法制备表面含纳米孔洞的有机聚合物薄膜；
c)顶电极制备：真空蒸镀金属铝作为顶电极。
3.根据权利要求2所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤a)中Glass衬底/ITO 底电极的清洁处理是将其依次在去离子水、乙醇、丙酮、去离子水中，分别超声15-20min，用高纯氮气吹干；最后将衬底放入氧气等离子体清洗机中处理3-5min。
4.根据权利要求2所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的步骤b)阻变功能层的制备是将聚甲基丙烯酸甲酯和聚苯乙烯分别溶解于四氢呋喃溶剂中，通过搅拌形成浓度相同的PMMA溶液与PS溶液；将PMMA溶液与PS溶液混合搅拌得到混合溶液；将混合溶液旋涂于底电极上固化，然后置于环己烷溶剂中刻蚀，烘干即可得到阻变功能层薄膜。
5.根据权利要求4所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的PMMA溶液与PS溶液的浓度均为3-10mg/mL。
6.根据权利要求4所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的PMMA溶液与PS溶液的体积比为3∶7。
7.根据权利要求4所述的一种写入电压可调的非易失性阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述的混合溶液旋涂的转数为1000-3000rpm。
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