[发明专利]晶圆清洗装置和晶圆清洗方法

说明书

本申请公开了一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，晶圆清洗装置包括内槽体；外槽体；循环管路，连通外槽体和内槽体；第一加液管路，包括进液口和出液口，反应液经由第一加液管路的出液口进入外槽体；第二加液管路，包括进液口和出液口，第二加液管路的出液口直接连接至内槽体，第一加液管路用于将第一反应液加入到外槽体，循环管路用于将外槽体的第一反应液加入内槽中；第二加液管路用于将第二反应液加入内槽体。该晶圆清洗装置在外槽体中加入第一反应液，经由循环管路到达内槽体，然后再在内槽体中补充第二反应液，内槽中反应生成清洗液，对晶圆进行清洗，使得清洗液在活性最高的时候与晶圆上的杂质反应，晶圆清洗效率高，杂质去除效果好。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种晶圆清洗装置和晶圆清洗方法。

背景技术

在半导体制造工艺中，通常会用到光刻、刻蚀、溅射、沉积等工艺，不可避免地会在晶圆表面留下金属颗粒或有机物杂质等，对晶圆造成污染，所以需要对晶圆进行清洗，去除晶圆表面残留的光刻胶、有机物以及吸附物等。

在对晶圆进行清洗时，通常需要将晶圆浸入到盛有清洗液的清洗装置内，进行湿法清洗。清洗装置内例如可以盛放酸性溶液、碱性溶液或去离子水等，以对应不同的处理工艺。通常，用于清洗晶圆的化学液主要包括SC1、BOE以及由H₂SO₄和H₂O₂混合而成的SPM溶液。现有技术中，通过在外槽中将清洗液配置好并将配置好的清洗液加入内槽的清洗装置中，以去除晶圆表面的杂质，在清洗过程中，需要向清洗装置内补充新的清洗液，以维持清洗装置内的清洗液浓度稳定。但是，清洗液在外槽中生成后才加入到内槽的清洗装置中进行清洗，当清洗剂到达内槽时，清洗液的活性降低，从而减弱清洗效果，导致残留缺陷等问题，影响产品的良率，另外清洗液的补充耗时将长。

期望进一步改进晶圆的清洗方式，以提高晶片的清洗效率，从而提升制造出的半导体器件的良率和可靠性。

发明内容

本发明的目的是提供一种改进的晶圆清洗装置和晶圆清洗方法，其中，先通过外槽体和循环管路向内槽体中通入第一反应液，然后再逐渐向内槽体中通入第二反应液，反应生成清洗液后对晶圆进行清洗，该反应液的通入方式使得反应液在刚一生成清洗液时就能对晶圆进行清洗，即清洗液能在活性最高的时候与晶圆上的杂质反应，从而提高了晶圆的清洗效率。

根据本发明实施例的一方面，提供了一种晶圆清洗装置，包括：

内槽体；

外槽体；

循环管路，连通所述外槽体和所述内槽体；

第一加液管路，包括进液口和出液口，反应液经由所述第一加液管路的出液口进入所述外槽体；以及

第二加液管路，包括进液口和出液口，所述第二加液管路的出液口直接连接至所述内槽体，

其中，所述第一加液管路用于将第一反应液加入到所述外槽体，所述循环管路用于将所述外槽体的第一反应液加入所述内槽中；所述第二加液管路用于将第二反应液加入所述内槽体。

可选地，所述循环管路上至少设置有第一泵体，所述循环管路的输出端连通至位于所述内槽体底部，所述循环管路的输入端连通至所述外槽体底部。

可选地，所述第二加液管路上设置有第二泵体，所述第二反应液经由所述第二泵体到达所述第二加液管路的出液口。

可选地，所述循环管路的输出端共用所述第二加液管路的出液口，共同连接至所述内槽体底部，所述第二加液管路与所述循环管路的汇流位置位于所述循环管路上所述第一泵体背离所述外槽体的一侧。

可选地，所述内槽体位于所述外槽体内。

可选地，所述的晶圆清洗装置还包括：排液单元，所述排液单元包括至少一根排液管，所述排液管连接至所述外槽体。