[发明专利]半导体封装件以及相关方法

说明书

本发明涉及半导体封装件以及相关方法。实施例公开了一种用于形成半导体封装件的方法，该方法包括提供与第一金属层耦接的第一绝缘体层。凹槽形成于该第一金属层中，并且半导体管芯机械地耦接在其中。该管芯与第二金属层机械地耦接，并且该第二金属层与第二绝缘体层耦接。该管芯和该层被至少部分地密封以形成该半导体封装件。该第一金属层和/或该第二金属层可为绝缘体‑金属衬底、金属‑绝缘体‑金属(MIM)衬底，或者可由引线框架形成。在实施方式中，该封装件不包括该管芯与该第一金属层之间的间隔件，并且不包括该管芯与该第二金属层之间的间隔件。在实施方式中，该第一绝缘体层和该第二绝缘体层通过密封剂暴露，或者与通过该密封剂暴露的金属层机械地耦接。

技术领域

本文件的各方面整体涉及半导体封装件。更具体的实施方式涉及用于形成半导体封装件的衬底。

背景技术

半导体封装件可用于将管芯的电触点与电引线电互连，该电引线将半导体封装件与印刷电路板(PCB)电耦接。各种半导体封装件可附接到散热器以将热量从半导体管芯吸走。

发明内容

形成半导体封装件的方法的实施方式可包括：提供与第一金属层耦接的第一绝缘体层；在该第一金属层中形成凹槽；将半导体管芯至少部分地机械地耦接在凹槽内，半导体管芯的周边完全位于凹槽的周边内；将半导体管芯与第二金属层机械地耦接，该第二金属层与第二绝缘体层耦接；以及将该第一绝缘体层、该第一金属层、该半导体管芯、该第二绝缘体层和该第二金属层至少部分地密封在密封剂中以形成半导体封装件。

形成半导体封装件的方法的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

该半导体封装件可不包括该半导体管芯与该第一金属层之间的间隔件，并且该半导体封装件可不包括该半导体管芯与该第二金属层之间的间隔件。

引线框架可形成该第一金属层。

引线框架可形成该第二金属层。

该第一绝缘体层和该第二绝缘体层可通过密封剂暴露。

形成半导体封装件的方法的实施方式可包括：提供第一金属-绝缘体-金属(MIM)衬底，该第一MIM衬底具有第一金属层和第二金属层，该第一金属层和该第二金属层耦接在第一绝缘体层的相反两侧上；在该第一金属层中形成凹槽；将半导体管芯至少部分地机械地耦接在凹槽内，半导体管芯的周边完全位于凹槽的周边内；将该半导体管芯与第二MIM衬底的第三金属层机械地耦接，该第二MIM衬底包括该第三金属层和第四金属层，该第三金属层和该第四金属层在第二绝缘体层的相反两侧上；以及将该第一MIM衬底、该半导体管芯和该第二MIM衬底至少部分地密封在密封剂中以形成半导体封装件。

形成半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：

该半导体封装件可不包括该半导体管芯与该第一金属层之间的间隔件，并且该半导体封装件可不包括该半导体管芯与该第三金属层之间的间隔件。

该第一金属层可包括两个金属区段，该两个金属区段在将该半导体管芯与该第一金属层耦接之前彼此电隔离。

该第二金属层和/或该第四金属层可包括狭槽，该狭槽被配置为减少该半导体封装件的翘曲。

半导体封装件的实施方式可包括：第一绝缘体层，该第一绝缘体层与至少第一金属层耦接，该第一金属层在其中包括凹槽；半导体管芯，该半导体管芯至少部分地机械地耦接在凹槽内，半导体管芯的周边完全位于凹槽的周边内；至少第二金属层，该至少第二金属层与第二绝缘体层耦接，该第二金属层与该半导体管芯机械地耦接；和密封剂，该密封剂至少部分地密封该第一绝缘体层、该第一金属层、该半导体管芯、该第二绝缘体层和该第二金属层。

半导体封装件的实施方式可包括以下各项中的一项、全部或任一项：