[发明专利]传感器封装结构及方法

权利要求书

1.一种传感器封装结构，其特征在于，包括：

CMOS电路基板，包括CMOS电路及第一电性连接端；

检测结构，包括功能单元及电性引出端；

第一围堰，位于CMOS电路和检测结构之间，所述CMOS电路、所述第一围堰和所述检测结构围成第一空腔，所述第一空腔至少包围部分所述功能单元；

电连接结构，设置于所述CMOS电路的所述第一围堰暴露的区域，且将所述电性引出端与所述第一电性连接端相连。

2.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一围堰包括金属材料、介电材料、聚合物的一种或组合。

3.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一围堰包括第一子围堰和第二子围堰，所述第一子围堰设置于所述CMOS电路基板上，所述第二子围堰设置于所述检测结构上，所述第一子围堰和所述第二子围堰通过平坦层相连。

4.根据权利要求1或3所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一围堰与所述电连接结构具有相同层结构。

5.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一围堰外壁与所述检测结构或CMOS电路基板外边缘有设定距离。

6.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一围堰宽度大于30μm；

所述第一围堰与所述功能单元的键合面面积与所述功能单元键合面所在面面积之比大于10％；和/或，

所述第一围堰与所述CMOS电路基板的键合面面积与所述CMOS电路基板键合面所在面面积之比大于10％。

7.根据权利要求3所述的传感器封装结构，其特征在于，所述CMOS电路基板上设有凸起的防溢环，所述防溢环内具有环形凹槽，所述第一子围堰位于所述环形凹槽内，且其临近所述第二子围堰的表面至所述CMOS电路基板的距离小于所述防溢环临近所述第二子围堰的表面至所述CMOS电路基板的距离；或者，

所述检测结构上设有凸起的防溢环，所述防溢环内具有环形凹槽，所述第二子围堰位于所述环形凹槽内，且其临近所述第一子围堰的表面至所述检测结构的距离小于所述防溢环临近所述第一子围堰的表面至所述检测结构的距离。

8.根据权利要求7所述的传感器封装结构，其特征在于，所述第一子围堰或所述第二子围堰与所述防溢环的高度差不低于1μm。

9.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，检测结构还包括衬底，所述功能单元设置于所述衬底的第一表面，所述电性引出端位于所述衬底远离所述功能单元的第二表面，所述电性引出端通过互连结构与所述功能单元电连，所述第一围堰位于所述衬底的第二表面。

10.根据权利要求9所述的传感器封装结构，其特征在于，所述检测结构包括阵列的功能单元，所述衬底上开设有与所述功能单元对应设置的子空腔，所述子空腔与所述第一空腔连通设置。

11.根据权利要求1所述的传感器封装结构，其特征在于，所述检测结构上设有第二围堰和封盖层，所述第二围堰位于所述检测结构和所述封盖层之间，所述检测结构、所述第二围堰和所述封盖层围成第二空腔，所述第二空腔至少包围部分所述功能单元。

12.根据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封盖层上具有第一凹槽，所述第一凹槽位于所述第二空腔以外，所述第二围堰设置于所述第一凹槽内，并与所述第一凹槽内壁之间具有间隙。

13.根据权利要求11所述的传感器封装结构，其特征在于，所述封盖层和所述检测结构之间还设有伪凸块，所述伪凸块设置于所述第二围堰以外的区域。