[发明专利]一种自熔断单元及其应用的保护元件在审

专利信息
申请号: 202011211861.6 申请日: 2020-11-03
公开(公告)号: CN112259426A 公开(公告)日: 2021-01-22
发明(设计)人: 夏心俊;韩乔磊;钱朝勇;李峰;王开成;程逸飞;沈十林 申请(专利权)人: 上海维安电子有限公司
主分类号: H01H85/06 分类号: H01H85/06;H01H85/08;H01M50/581
代理公司: 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 代理人: 董梅
地址: 200083 上海市*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 熔断 单元 及其 应用 保护 元件
【权利要求书】:

1.一种用于保护器件的自熔断单元,其特征在于,为导电鞘芯结构,电阻率为1.5-40μΩ.cm,其中,鞘芯结构包括内芯和外鞘,外鞘材料与内芯材料表面接触并全面包覆于内芯材料,内芯材料的表面与外鞘材料相接触,外鞘材料的熔点和电导率高于内芯材料的外围,用于抑制内芯材料熔胀和熔融流出。

2.如权利要求1所述的自熔断单元,其特征在于,所述内芯的厚度为0.06-0.3mm之间,所述外鞘的厚度为0.002-0.02mm之间,所述自熔断单元在回流焊工艺中保持原貌,但在高于280℃或放置于超过2W功率发热元件上,能迅速自熔。

3.如权利要求1或2所述的自熔断单元,其特征在于,所述的外鞘通过化学镀、电镀、挂镀、滚镀、蒸镀、溅射镀、离子镀或压延复合中的一种或多种工艺方式包括在内芯外的金属包覆层。

4.如权利要求1或2所述的自熔断单元,其特征在于,所述内芯材料采用具有高熔融润湿性金属材料。

5.如权利要求4所述的自熔断单元,其特征在于,所述金属材料为锡、铅、银、铋、铟中的至少一种或二种以上的合金。

6.如权利要求1或2所述的自熔断单元,其特征在于,所述内芯采用高分子材料。

7.如权利要求6所述的自熔断单元,其特征在于,所述的高分子材料为聚乙烯、聚丙烯、聚氨酯、聚酯类、聚酰胺、聚醚类、聚乙烯醇、聚氯乙烯、聚苯乙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的至少一种或二种以上的组合物。

8.如权利要求3所述的自熔断单元,其特征在于,所述外鞘为银、铜、金、铝、镍、锌中的至少一种或二种以上的合金。

9.如权利要求1或2所述的自熔断单元,其特征在于,所述的内芯的表面粗糙度小于0.001mm。

10.一种根据权利要求1至9任一项所述自熔断单元的制备方法,依序包括下述步骤:

第一步,将内芯剪切或冲压成2.0*2.0*0.6mm的小片形状基片,再将其置于40℃的80v%的硫酸水溶液接触30秒,用去离子水清洗,烘干;

第二步,将基片放入敏化剂15g/L 的SnCl2溶液中敏化200分钟,取出用去离子水洗净,烘干;

第三步,放入催化剂0.1g/L的PdCl2溶液中催化360分钟,取出用去离子水洗净,烘干得待镀品;

第四步,将待镀品放入化学镀银液中,镀银温度控制在30℃,其中,镀银液为AgNO3 0.025g/ml、氨水15ml,调pH=9;还原液为0.045g/ml的C6H12O6溶液;检测镀银层厚度,实现内芯101材料被表面全方面包覆镀银外鞘,形成2-20μm厚度的包覆镀银外鞘。

11.一种根据权利要求1至9任一项所述自熔断单元的制备方法,依序包括下述步骤:

第一步,将内芯101剪切或冲压成2.0*2.0*0.6mm的小片形状基片,再将其置于40℃的80v%的硫酸水溶液接触30秒,用去离子水清洗,烘干;

第二步,放入敏化剂15g/L的SnCl2溶液中敏化200分钟,取出用去离子水洗净,烘干;

第三步,放入催化剂0.1g/L 的PdCl2溶液中催化360分钟,取出用去离子水洗净,烘干,得待镀品;

第四步,将待镀品放置于滚镀中,浸没于电镀液,控制镀银液温度在30℃,同时设置恒流15A电流模式,实时检测镀银层厚度,实现内芯表面被全方面包覆镀银外鞘材料,形成2-20μm厚度的包覆镀银外鞘。

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