[发明专利]一种源极跟随形式的均衡电路在审
| 申请号： | 202011212356.3 | 申请日： | 2020-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN112350714A | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 钱程 | 申请（专利权）人： | 成都天朗电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 成都君合集专利代理事务所(普通合伙) 51228 | 代理人： | 尹新路 |
| 地址： | 610200 四川省成都市自由贸*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 跟随 形式 均衡 电路 | ||
1.一种源极跟随形式的均衡电路，其特征在于：采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源连接到NMOS管NM1的D极连接，NMOS管NM1的G极通过电容C1连接到NMOS管NM1的S极，所述NMOS管NM1的S极通过电容C2后接地，所述NMOS管NM1的S极还通过一个电阻R1后接地；
右电路：从第二电源连接到NMOS管NM2的D极连接，NMOS管NM2的G极通过电容C3连接到NMOS管NM2的S极，所述NMOS管NM2的S极通过电容C4后接地，所述NMOS管NM2的S极还通过一个电阻R2后接地；所述NMOS管NM1和NMOS管NM2的PN连接后接地；
所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，NMOS管NM1和NMOS管NM2相同；以NMOS管NM1的G极为高电平输入Vin+，以NMOS管NM1的S极为高电平输出Vo+；以NMOS管NM2的G极为低电平输入Vin-，以NMOS管NM2的S极为低电平输出Vo-。
2.一种源极跟随形式的均衡电路，其特征在于：采用对称的共源电路结构，分为左电路和右电路，左电路为：从第一电源处接出一个电阻R1后连接到PMOS管PM1的D极连接，PMOS管PM1的G极通过电容C1连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C2后接地；
右电路为：从第二电源处接出一个电阻R2后连接到PMOS管PM2的D极连接，PMOS管PM2的G极通过电容C3连接到PMOS管PM1的D极，所述PMOS管PM1的S极接地，所述PMOS管PM1的D极还通过一个电容C4后接地；所述PMOS管PM1和PMOS管PM2的PN连接后接到第三电源；
所述电容C1和电容C3相同，电容C2和电容C4相同，电阻R1和电阻R2相同，PMOS管PM1和PMOS管PM2相同；以PMOS管PM1的G极为高电平输入Vin+，以PMOS管PM1的D极为高电平输出Vo+；以PMOS管PM2的G极为低电平输入Vin-，以PMOS管PM2的D极为低电平输出Vo-。
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