[发明专利]一种水冷热屏结构、单晶硅生长装置以及单晶硅生长方法

权利要求书

1.一种水冷热屏结构，其特征在于，包括：内壳(101)、外壳(102)、冷却水导流装置(103)，其中，

所述内壳(101)的内表面排列设置槽形结构(1011)；

所述内壳(101)的剖面和所述外壳(102)的剖面均为倒置的等腰梯形结构；

所述内壳(101)套装在所述外壳(102)内，所述内壳(101)的上边缘和下边缘分别与所述外壳(102)的上边缘和下边缘密封连接；

所述内壳(101)与所述外壳(102)之间形成空腔，所述冷却水导流装置(103)设置于所述空腔内。

2.根据权利要求1所述水冷热屏结构，其特征在于，

所述槽形结构(1011)排列于所述内壳(101)的内表面的部分区域或全部区域。

3.根据权利要求1或2所述水冷热屏结构，其特征在于，

所述槽形结构(1011)在所述内壳(101)的内表面密集排列。

4.根据权利要求1或2所述水冷热屏结构，其特征在于，

所述槽形结构(1011)的截面为V形、U形、弧形、类矩形以及扇形中的任意一种形状。

5.根据权利要求4所述水冷热屏结构，其特征在于，

针对所述内壳(101)的内表面仅排列设置有一种形状的槽形结构(1011)的情况，

相邻两个所述槽形结构(1011)的相邻两个侧壁相交。

6.根据权利要求4所述水冷热屏结构，其特征在于，

针对所述内壳(101)的内表面排列设置有多种形状的槽形结构(1011)的情况，

相邻两个所述槽形结构(1011)的相邻两个侧壁相交，或者，相邻两个所述槽形结构(1011)具有同一侧壁。

7.根据权利要求1、2、5以及6任一项所述水冷热屏结构，其特征在于，

所述槽形结构的夹角不大于90度。

8.根据权利要求1、2、5以及6任一项所述水冷热屏结构，其特征在于，

所述槽形结构1011的深度不小于2mm；

和/或，

相邻两个所述槽形结构1011的相邻侧壁之间的间距不大于30mm。

9.一种单晶硅生长装置，其特征在于，包括：单晶炉本体(20)以及权利要求1至8任一项所述水冷热屏结构(10)，其中，

所述水冷热屏结构(10)设置于所述单晶炉本体(20)内。

10.一种利用具有权利要求1至8任一所述的水冷热屏结构的单晶硅生长装置进行单晶硅生长的方法，其特征在于，

单晶硅穿过所述水冷热屏结构拉直生长的步骤；

控制硅液面与加热器之间的相对位置不超过误差阈值，所述加热器用于加热硅液；

控制所述水冷热屏结构下降的步骤。