[发明专利]存储器件及其操作方法

说明书

一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括分别连接在串选择线与接地选择线之间的单元串；字线，连接到存储器单元；控制逻辑，生成提供给所述串选择线的第一电压和提供给所述接地选择线的第二电压，并且调整所述第一电压和所述第二电压的电压电平以控制所述单元串的沟道升压电平；以及行解码器，在所述控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、以及所述第一电压和所述第二电压提供给所述存储单元阵列。所述控制逻辑生成所述第一电压和所述第二电压中的一个作为预脉冲电压。所述行解码器将第三电压提供给所述字线中的至少一个。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年12月26日在韩国知识产权局递交的题为“存储器件及其操作方法”的韩国专利申请No.10-2019-0175689的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文中。

技术领域

实施例涉及一种存储器件及其操作方法。

背景技术

包括非易失性存储元件的存储器件使用预脉冲方案来防止在执行读操作、程序验证操作等时发生热载流子注入(HCI)或软擦除。

发明内容

实施例针对一种存储器件，包括：存储器单元阵列，该存储器单元阵列包括多个单元串，每个单元串包括分别连接在多个串选择线与多个接地选择线之间的多个存储器单元以及连接到该多个存储器单元的多个字线；控制逻辑，被配置为生成提供给多个串选择线的第一电压和提供给多个接地选择线的第二电压，并调整第一电压和第二电压的每个电压电平调整以控制多个单元串的沟道升压电平；以及行解码器，被配置为在控制逻辑的控制下将读电压、读通过电压、第一电压和第二电压提供给存储器单元阵列。控制逻辑可以生成第一电压和第二电压中的一个作为预脉冲电压。行解码器可以将第三电压提供给多个字线中的至少一个字线。第三电压可以在所述预脉冲电压具有高于或等于预定第一阈值的电平时具有第一电平，并在所述预脉冲电压具有低于第一阈值的电平时具有第二电平，第二电平高于第一电平。

实施例还针对一种存储器件，包括：多个单元串，每个单元串包括设置在多个字线与多个位线的交点处并串联连接在多个串选择线与多个接地选择线之间的多个存储器单元；以及控制逻辑，被配置为选择多个单元串中的至少一个以执行读操作或程序验证操作，并被配置为控制预脉冲电压使得预脉冲电压被选择性地输入到与未选单元串连接的串选择线或接地选择线。预脉冲电压的值可以在根据阈值电压分布的预定读电压被输入到所选单元串之前的时段期间大于预定阈值，并且可以在输入预定读电压的时段期间小于或等于预定阈值。

实施例还针对一种存储器件，包括：存储器单元阵列，包括多个单元串，每个单元串包括多个存储器单元以及连接到多个存储器单元的多个字线；控制逻辑，被配置为使得连接到多个单元串的多个串选择线或多个接地选择线被控制为进行预充电，并且调整多个字线中的至少一个以控制多个单元串的每个沟道的电位电平，从而执行读操作和程序验证操作；以及行解码器，被配置为在控制逻辑的控制下将读电压或读通过电压输入到多个字线，以控制读操作或程序验证操作。控制逻辑可以在与多个存储器单元中的虚设存储器单元相连的字线中选择至少一个字线作为势垒线，并且可以输入预定控制电压以控制沟道的电位电平，其中预定控制电压具有低于读通过电压的电平的电平。

附图说明

通过参考附图详细地描述示例实施例，特征对于本领域技术人员将变得清楚，在附图中：

图1示出了根据示例实施例的存储器件。

图2是示出了根据示例实施例的存储器件的存储器单元阵列的等效电路图。

图3A和图3B示出了根据示例实施例的存储器件。

图4A和图4B示出了根据示例实施例的存储器件。

图5是示出了根据示例实施例的存储器件的单元串的电路图。

图6至图8示出了根据示例实施例的存储器件的操作。