[发明专利]受光芯片及其形成方法、光电耦合器及其形成方法

权利要求书

1.一种受光芯片，其特征在于，包括：

原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；

多个焊盘，位于所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面；

多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面；

其中，所述金属凸块包括多个金属柱，所述多个金属柱的底部分别生长在所述多个焊盘的表面。

2.根据权利要求1所述的受光芯片，其特征在于，所述金属柱与所述焊盘一一对应；

所述多个金属凸块还包括：

多个金属球，所述多个金属球与所述金属柱一一对应；

其中，所述多个金属柱的底部分别生长在所述多个焊盘的表面，且所述多个金属球生长或焊接在对应的金属柱的顶部表面。

3.根据权利要求2所述的受光芯片，其特征在于，

所述金属柱为铜柱或金柱；

和/或，

所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。

4.一种受光芯片的形成方法，其特征在于，包括：

提供原始受光芯片，所述原始受光芯片具有受光区域以及围绕所述受光区域的焊盘封装区域；

在所述焊盘封装区域的原始受光芯片的表面形成多个焊盘；

形成多个金属凸块，所述金属凸块与所述焊盘一一对应且固定于所述焊盘的表面；

其中，所述金属凸块包括多个金属柱，所述多个金属柱的底部分别生长在所述多个焊盘的表面。

5.根据权利要求4所述的受光芯片的形成方法，其特征在于，形成多个金属凸块包括：

在所述多个焊盘的表面生长金属柱，并在所述金属柱的表面生长或焊接金属球；

其中，多个金属球与所述焊盘一一对应，多个金属柱与所述金属球一一对应。

6.根据权利要求5所述的受光芯片的形成方法，其特征在于，

所述金属柱为铜柱或金柱；

和/或，

所述金属球为半球状的锡球或锡合金球。

7.一种基于权利要求1至3任一项所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，包括：

基板，所述基板的表面形成有多个金属块，所述多个金属块与所述多个金属凸块一一对应；

发光芯片，固定在所述基板的表面，且所述多个金属块围绕所述发光芯片；

所述受光芯片，倒装固定在所述基板的表面，且所述受光芯片的多个金属凸块的顶部表面与所述多个金属块电连接；

其中，所述受光芯片的受光面与所述发光芯片的发光面相对。

8.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，

所述金属凸块的高度大于所述发光芯片的高度，且小于所述发光芯片的高度的N倍；

其中，N＞1。

9.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，还包括：

硅胶，包裹所述发光芯片。

10.根据权利要求7所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，还包括：

第一塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、以及受光芯片；

第二塑封胶，包裹所述基板、发光芯片、受光芯片以及所述第一塑封胶；

其中，所述第一塑封胶的顶部横截面面积小于所述第一塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积小于所述第二塑封胶的底部横截面面积，所述第二塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积均大于所述第一塑封胶的顶部横截面面积和底部横截面面积。

11.根据权利要求10所述的受光芯片的光电耦合器，其特征在于，

所述第一塑封胶的透光率大于等于第一预设透光率阈值；

和/或，

所述第二塑封胶的透光率小于等于第二预设透光率阈值；

其中，所述第一预设透光率阈值大于所述第二预设透光率阈值。