[发明专利]一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构

权利要求书

1.一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，包括：衬底、沟阻、多晶硅电极，输出节点，其特征在于，所述沟阻为衬底上的掺杂区域，所述沟阻的外边缘的上下两侧为直线形状，所述沟阻的外边缘的左侧为向左边凸出的“凸”形直线形状，所述沟阻的内边缘左侧部分为向外凸出的圆弧形状，所述圆弧形状的中间位置具有一个向左凸出的矩形线条，且凸出的矩形部分的形状与沟阻外边缘左侧的“凸”形直线形状相对应；沟阻的内边缘的上下两侧均为直线形状；所述沟阻的外边缘与所述沟阻的内边缘间隔一定距离；所述多晶硅电极为沉积于所述衬底上的条形薄膜，且所述多晶硅电极位于沟阻内侧的形状为弧形；所述输出节点靠近沟阻左侧中部位置，所述输出节点设置于弧形多晶硅电极内侧的衬底上；

所述多晶硅电极包括多层多晶硅电极，分别是第一层多晶硅电极、第二层多晶硅电极、第三层多晶硅电极,……,第N层多晶硅电极；每层多晶硅电极具有多条多晶硅栅；对于沉积在衬底上的任意一层多晶硅电极，该多晶硅电极上的每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线条状，位于沟阻内侧的部分为弧线条状，且弧线的曲率半径随着越靠近CCD输出节点越大。

2.根据权利要求1所述的一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，其特征在于，对于沉积在衬底上的任意一层多晶硅电极，该层多晶硅电极的多个多晶硅栅之间为连接关系，该层多晶硅电极与其他层多晶硅电极为绝缘关系。

3.一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，包括：衬底、沟阻、第一层多晶硅电极、第二层多晶硅电极、第三层多晶硅电极和输出节点，其特征在于，所述沟阻为衬底上的掺杂区域；所述多晶硅电极为沉积于所述衬底上的薄膜；

所述第一层多晶硅电极具有多条多晶硅栅，每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线条状；位于沟阻内侧的部分为弧线条状，且弧线的曲率半径随着越靠近CCD输出节点越大；

所述第二层多晶硅电极具有多条多晶硅栅，每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线条状，位于沟阻内侧的部分为弧线条状，且弧线的曲率半径随着越靠近CCD输出节点越大；第二层多晶硅电极的左侧中部设置有一个直角条形的多晶硅栅；

所述第三层多晶硅电极具有多条多晶硅栅，每条多晶硅栅位于沟阻外侧的部分为直线条状，位于沟阻内侧的部分为弧线条状，且弧线的曲率半径随着越靠近CCD输出节点越大。

4.根据权利要求3所述的一种同时实现大信号处理和高频转移的CCD结构，其特征在于，所述沟阻的外边缘的上下两侧为直线形状，所述沟阻的外边缘的左侧为向左边凸出的“凸”形直线形状，所述沟阻的内边缘左侧部分为向外凸出的圆弧形状，所述圆弧形状的中间位置具有一个向左凸出的矩形线条，且凸出的矩形部分的形状与沟阻外边缘左侧的“凸”形直线形状相对应；沟阻的内边缘的上下两侧均为直线形状；所述沟阻的外边缘与所述沟阻的内边缘间隔一定距离。