[发明专利]一种基于原子层沉积的吸收膜及其制作方法

权利要求书

1.一种基于原子层沉积的吸收膜，由基底和其上的多层吸收膜系组成，其特征在于，所述多层吸收膜系由吸收膜层和介质膜层交替组成，吸收膜层为最内层，靠近基底设置；介质膜层为最外层；所述多层吸收膜系由原子层沉积方法得到。

2.根据权利要求1所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，所述吸收膜层为钛铝化合物膜层。

3.根据权利要求1所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，所述介质膜层为氧化物，氮化物，氟化物，硫化物，硒化物中的一种或多种混合材料组成的膜层。

4.根据权利要求3所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，所述介质膜层为二氧化钛、二氧化硅、三氧化二铝、氧化铪、氧化钽、氮化硅、氮化钛、氟化镁、氟化钇、硫化锌、硫化钼、硒化锌中的一种或多种混合材料组成的膜层。

5.根据权利要求1所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，所述多层吸收膜系为(钛铝化合物/二氧化硅)^S，S为整数，表示交替数。

6.根据权利要求1所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，起主要作用的吸收膜层的厚度大于100nm。

7.根据权利要求1所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，所述吸收膜层的厚度各自独立的选自10nm～1000nm；介质膜层的厚度为10nm～300nm。

8.根据权利要求5所述的基于原子层沉积的吸收膜，其特征在于，S为2～30；最厚一层的吸收膜层的厚度为200nm～300nm；其余吸收膜层的厚度为10nm～100nm；介质膜层的厚度为10nm～80nm。

9.一种权利要求1～7任一项所述的基于原子层沉积的吸收膜的制备方法，其特征在于，采用原子层沉积方法在所述基底逐层沉淀所述的多层吸收膜系。

10.根据权利要求9所述的基于原子层沉积的吸收膜的制备方法，其特征在于，所述吸收膜层为钛铝化合物膜层，由前驱体三甲基铝和四氯化钛通过原子层沉积得到；所述介质膜层为二氧化硅膜层，由前驱体三叔丁氧基硅烷醇和三甲基铝通过原子层沉积得到。