[发明专利]一种太阳能吸收器在审
| 申请号： | 202011214580.6 | 申请日： | 2020-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN112259616A | 公开（公告）日： | 2021-01-22 |
| 发明（设计）人： | 李长红;孙大伟;易凌俊;王再鹏 | 申请（专利权）人： | 青岛大学 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/0304;H01L31/0352;F24S70/10;F24S70/30 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 王立普 |
| 地址： | 266071 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能 吸收 | ||
【权利要求书】：
1.一种太阳能吸收器，其特征在于，包括：金属钨基底、二维光子晶体单元和抗反射层，所述二维光子晶体单元设置在所述金属钨基底之中和所述抗反射层之下，所述二维光子晶体单元的数量为多个，各所述二维光子晶体单元以相同尺寸按四方晶格结构排列，置于所述金属钨基底内部，各所述二维光子晶体单元均为半径为R的圆形空腔结构，各所述圆形空腔结构内部填充GaAs。
2.根据权利要求1所述的太阳能吸收器，其特征在于，所述二维光子晶体单元的晶格常数为480nm。
3.根据权利要求1所述的太阳能吸收器，其特征在于，所述二维光子晶体单元的空腔高度为2200nm。
4.根据权利要求1所述的太阳能吸收器，其特征在于，所述二维光子晶体单元的空腔半径为190nm。
5.根据权利要求1所述的太阳能吸收器，其特征在于，所述抗反射层厚度为165nm。
6.根据权利要求1所述的太阳能吸收器，其特征在于，所述金属钨基底的高度为2250nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
