[发明专利]一种用于镀金印刷电路板的导线蚀刻方法

权利要求书

1.一种用于镀金电路板的导线蚀刻方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，一次外光成像，于电路板表面进行一次贴干膜后撕离保护膜，进行镀金导线与镀金区域的成像；

S2，二次贴干膜，于电路板进行二次贴干膜后进行二次外光成像以暴露镀金区域，贴膜温度为110℃-120℃，贴膜压力为0.4-0.6MPa，所述一次贴干膜与所述二次贴干膜提供充足胶量以填充线路间隙；

S3，镀金，利用镀金导线对镀金区域进行镀金，依次进行酸洗、热水洗、纯水洗、微蚀、纯水洗、镀厚金、金回收、纯水洗、烘板；

S4，去除镀金导线的干膜，通过碱性蚀刻以去除镀金导线上的干膜，依次进行入板、膨松、褪膜、水洗、强风吹干、出板；

S5，蚀刻镀金导线，通过碱性蚀刻以去除镀金导线，依次进行入板、蚀刻、氨水洗、水洗、强风吹干、热风风干、出板，进行所述蚀刻的蚀刻槽中的铜离子的浓度为135g/L-155g/L，所述蚀刻槽中的氯离子的浓度为4.8mol/L-5.8mol/L，所述蚀刻的温度为47℃-53℃，所述蚀刻的压力为1.5kg/cm²-3.5kg/cm²。

2.根据权利要求1所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S2中，通过贴膜机进行贴干膜。

3.根据权利要求1所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S3中，进行所述酸洗的酸洗槽中的液体为硫酸溶液，硫酸浓度为70ml/L-130ml/L。

4.根据权利要求3所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S3中，所述微蚀的微蚀量为0.3μm-3.2μm。

5.根据权利要求4所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S3中，进行所述微蚀的微蚀槽中的过硫酸钠溶液的浓度为50g/L-100g/L，所述微蚀槽中的硫酸溶液的浓度为10ml/L-60ml/L，所述微蚀槽中的铜离子的浓度为小于25g/L。

6.根据权利要求1所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S3中，插头镀金槽与镀厚金槽的金浓度为2.0g/L-8.0g/L，插头镀金槽的钴浓度为1.0g/L-2.0g/L。

7.根据权利要求6所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S4中，所述膨松与所述褪膜的温度为45℃-55℃，所述褪膜的压力为2.0kg/cm²-3.0kg/cm²。

8.根据权利要求1至7任一项所述的导线蚀刻方法，其特征在于：

在所述步骤S5中，所述氨水洗的压力为1kg/cm²-2 kg/cm²。