[发明专利]基片处理方法和基片处理装置

说明书

本发明提供能够连续控制在基片上形成的膜的覆盖率的基片处理方法和基片处理装置。基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。

技术领域

本发明涉及基片处理方法和基片处理装置。

背景技术

作为在半导体装置的制造中使用的一种技术，已知有原子层沉积(Atomic LayerDeposition：ALD)。ALD被归类为化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition：CVD)之一。CVD是通过在腔室内配置基片，将包含想要形成的膜的成分的气体导入到腔室，在基片的正面上或者在气相下引起化学反应，从而在基片上成膜的方法。与CVD不同，ALD并不将多种反应气体一起导入到腔室内。首先，将第一反应气体(precursor：前体)导入到腔室使其吸附在基片上，将未吸附的第一反应气体从腔室中排出。接着，将第二反应气体导入到腔室，使其与吸附于基片上的第一反应气体的成分反应而成膜。ALD能够利用自控制性将膜厚控制在原子层水平，因此被运用于形成致密的膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：美国专利申请公开第2005/70041号说明书

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够连续地控制形成在基片上的膜的覆盖率的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的一个方面的基片处理装置实现的基片处理方法包括a)在腔室内将在正面形成有图案的基片暴露于第一反应种，使第一反应种吸附在基片的正面的工序。此外，基片处理方法包括b)在腔室内，将基片暴露于由第二反应种形成的等离子体，在基片的正面形成膜的工序。此外，基片处理方法包括c)将包含工序a)和工序b)的处理以改变工序b)开始时的第一反应种的滞留量的方式反复执行两次以上的工序。

发明效果

依照本发明，能够连续地控制在基片上形成的膜的覆盖率。

附图说明

图1是表示第一实施方式的基片处理方法的流程的一个例子的流程图。

图2A是表示根据第一实施方式的基片处理方法执行的处理例1的流程的流程图。

图2B是表示根据第一实施方式的基片处理方法执行的处理例2的流程的流程图。

图2C是表示根据第一实施方式的基片处理方法执行的处理例3的流程的流程图。

图2D是表示根据第一实施方式的基片处理方法执行的处理例4的流程的流程图。

图3A是于用说明成膜方法与覆盖率的关系的图。

图3B是与图3A的(1)～(5)对应的图案的概要纵截面图。

图4是用于说明化学气相沉积的图。

图5是用于说明原子层沉积的图。

图6是用于说明第一实施方式中的混合模式的图。

图7是表示第一实施方式的基片处理装置的结构的一个例子的图。

图8是用于说明第一实施方式的基片处理装置中存储的处理条件的一个例子的图。

图9是用于说明第一实施方式的基片处理装置中存储的处理的一个例子的图。