[发明专利]切割带和切割芯片接合薄膜在审
申请号: | 202011215646.3 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112778923A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 木村雄大;每川英利;武田公平;植野大树;中浦宏 | 申请(专利权)人: | 日东电工株式会社 |
主分类号: | C09J7/29 | 分类号: | C09J7/29;C09J7/30;C09J4/06;C09J4/02;C09J11/06;H01L21/683 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 芯片 接合 薄膜 | ||
1.一种切割带,其具备基材层和粘合性比该基材层高的粘合剂层,
通过对所述基材层进行差示扫描量热测定而测得的谱图具有在100℃以上且140℃以下的范围存在顶点的吸热峰,且在该吸热峰中,峰开始点与所述顶点的温度差为40℃以下。
2.根据权利要求1所述的切割带,其中,在所述吸热峰中,所述峰开始点与峰结束点的温度差为60℃以下。
3.根据权利要求1或2所述的切割带,其中,在所述吸热峰中,所述峰开始点的温度为70℃以上。
4.根据权利要求1或2所述的切割带,其中,在所述吸热峰中,峰结束点的温度为150℃以下。
5.一种切割芯片接合薄膜,其具备权利要求1或2所述的切割带、以及粘贴于该切割带的芯片接合层。
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