[发明专利]蚀刻方法及等离子体处理装置在审

专利信息
申请号: 202011215778.6 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN112786440A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 横山乔大;户村幕树;木原嘉英;须田隆太郎;大类贵俊 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/3065 分类号: H01L21/3065;H01J37/32
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 白丽
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 蚀刻 方法 等离子体 处理 装置
【说明书】:

本发明的蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻方法及等离子体处理装置。

背景技术

在电子设备的制造中,对基板的含硅膜进行等离子体蚀刻。在对含硅膜进行等离子体蚀刻时,使用包含氟碳化物气体的处理气体。在美国专利申请公开第2016/0343580号说明书中记载有这种等离子体蚀刻。

发明内容

本发明提供一种在含硅膜的等离子体蚀刻时抑制横向蚀刻的技术。

在一示例性实施方式中,提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。

根据一示例性实施方式,变得能够在含硅膜的等离子体蚀刻时抑制横向蚀刻。

附图说明

图1是一示例性实施方式的蚀刻方法的流程图。

图2是可以适用图1所示的蚀刻方法的一例基板的局部放大剖视图。

图3是概略地表示一示例性实施方式的等离子体处理装置的图。

图4(a)是适用图1所示的蚀刻方法的一例基板的局部放大剖视图,图4(b)是通过从不包含磷的处理气体形成的等离子体进行蚀刻的一例基板的局部放大剖视图。

图5(a)是可以适用图1所示的蚀刻方法的另一例基板的局部放大剖视图,图5(b)是适用图1所示的蚀刻方法的另一例基板的局部放大剖视图。

图6是表示在第1实验中所求出的处理气体中的PF3气体的流量与硅氧化膜的蚀刻速率的关系的图表。

图7是表示在第1实验中所求出的处理气体中的PF3气体的流量与形成于硅氧化膜上的开口的最大宽度的关系的图表。

图8是表示在第3实验中所求出的PF3气体的流量的比例和蚀刻速率之比的图表。

具体实施方式

以下,对各种示例性实施方式进行说明。

在一示例性实施方式中,提供一种蚀刻方法。蚀刻方法包括在等离子体处理装置的腔室内准备基板的工序。基板包括含硅膜。蚀刻方法还包括通过来自在腔室内由处理气体形成的等离子体的化学物种来对含硅膜进行蚀刻的工序。处理气体包含卤素元素及磷。

根据上述实施方式,包含硅和在处理气体中所包含的磷的保护膜形成于侧壁面上,所述侧壁面划分通过蚀刻而形成于含硅膜上的开口。在侧壁面被该保护膜保护的同时,对含硅膜进行蚀刻。因此,变得能够在含硅膜的等离子体蚀刻时抑制横向蚀刻。

在一示例性实施方式中,蚀刻方法还可以包括在划分通过蚀刻而形成的开口的侧壁面上形成保护膜的工序。该保护膜包含处理气体中所包含的磷。

在一示例性实施方式中,蚀刻工序和形成保护膜的工序可以同时进行。

在一示例性实施方式中,处理气体可以包含PF3、PCl3、PF5,PCl5,POCl3、PH3、PBr3或PBr5中的至少一个作为包含磷的分子。

在一示例性实施方式中,处理气体还可以包含碳及氢。

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