[发明专利]半导体装置封装在审
申请号: | 202011215794.5 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112786572A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 詹雅芳;蒋源峰 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/498 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 蕭輔寬 |
地址: | 中国台湾高雄市楠梓*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 封装 | ||
1.一种半导体装置封装,其包括:
第一重新分布层,其具有第一表面;
多个导电柱,其与所述第一重新分布层的所述第一表面直接接触;
增强层,其围绕所述导电柱的侧表面;及
包封物,其包封所述增强层并且与所述第一重新分布层的所述第一表面接触;
其中所述导电柱通过所述增强层彼此分隔开。
2.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述增强层含有比所述包封物的填料小的填料。
3.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述增强层具有背对所述第一重新分布层的第一表面,并且其中所述导电柱从所述增强层的所述第一表面暴露。
4.根据权利要求3所述的半导体装置封装,其中从所述增强层的所述第一表面暴露的所述导电柱中的至少一者连接到焊球。
5.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述增强层限定用于容纳第一电子组件的空腔,并且其中所述第一电子组件具有背对所述第一重新分布层的第一表面。
6.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述第一重新分布层进一步包括与所述第一重新分布层的所述第一表面相对的第二表面,并且其中第二电子组件安装到所述第一重新分布层的所述第二表面。
7.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述增强层接触所述第一重新分布层的所述第一表面。
8.根据权利要求1所述的半导体装置封装,其中所述导电柱中的每一者具有第一柱部分及第二柱部分,其中所述第二柱部分安置于所述第一重新分布层的所述第一表面上并且所述第二柱部分的侧表面由所述包封物覆盖,并且其中所述第一柱部分与所述第二柱部分直接接触并且所述第一柱部分的侧表面由所述增强层覆盖。
9.根据权利要求8所述的半导体装置封装,其中所述第一柱部分的直径不同于所述第二柱部分的直径。
10.根据权利要求5所述的半导体装置封装,进一步包括附接到所述第一电子组件的所述第一表面的金属层或散热层。
11.根据权利要求5所述的半导体装置封装,进一步包括附接到所述第一电子组件的所述第一表面的金属层或散热层,其中所述金属层或所述散热层具有背对所述第一重新分布层的第一表面,并且其中所述金属层或所述散热层的所述第一表面与所述增强层的第一表面共面。
12.一种半导体装置封装,其包括:
电连接构件,其包括增强层及穿过所述增强层的多个导电柱;
第一电子组件;
包封物,其包封所述第一电子组件及所述电连接构件;及
第一重新分布层,其安置于所述包封物的顶部表面上并且电连接到所述导电柱中的至少一者;
其中所述导电柱的底部表面与所述增强层的底部表面及所述包封物的底部表面共面。
13.根据权利要求12所述的半导体装置封装,进一步包括安置于所述包封物的底部表面上并且电连接到所述导电柱中的至少一者的焊球或第二重新分布层。
14.根据权利要求12所述的半导体装置封装,进一步包括安置于所述第一重新分布层的所述顶部表面上的第二电子组件。
15.根据权利要求12所述的半导体装置封装,其中所述导电柱中的每一者具有第一柱部分及第二柱部分,并且其中所述第二柱部分安置于所述第一重新分布层的所述底部表面及由所述包封物覆盖的所述第二柱部分的侧表面上,并且其中所述第一柱部分与所述第二柱部分直接接触并且所述第一柱部分的侧表面由所述增强层覆盖。
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