[发明专利]基于富氧工艺的等离子弧切割系统

说明书

本发明提供了一种基于富氧工艺的等离子弧切割系统，割炬头与气体分配箱的混合气体出气口连通，第一气源箱以及第二气源箱分别于气体分配箱的第一气体进气口以及第二气体进气口连通。通过气体分配箱将的预混组件将空气与氧气进行均匀混合后给割炬头供气，此时割炬头的气源中的氧含量得到提高，将喷口的直径进行限制，来提高离子气流的流速，从而在单位时间内，铁板接触到的氧气增多，此时氧气的助燃效果会更强，在对铁板的切割效果提升更加明显，由于离子气流的速度更快，从而使切割的效率更高，同时由于气流速度更快，融化的金属液吹散的更加彻底，使切割面更加光滑平整，提高了整体的切割质量。

技术领域

本发明涉及等离子弧焊割领域，具体涉及一种基于富氧工艺的等离子弧切割系统。

背景技术

割炬是气焊的重要工具，工作时，割炬产生等离子弧射向工件表面，等离子弧内部粒子对工件表面产生巨大的冲击力，释放出大量能量从而使工件材料局部融化并汽化，从而形成切口，以实现切割功能。

现有技术中的切割系统通过压缩空气直接给割炬头供气，采用压缩空气作为割炬头的气源对工件表面进行切割，由于压缩空气中的氧气含量较低，采用压缩空气当做气源的割炬头中的氧气含量较低，此时需要割炬头中的气流更加平缓，流速降低，切割效率很慢，同时有可能不能将工件表面融化的金属液完全吹走，从而造成了金属液在切割口的残留，从而降低了切割质量，不能满足高质量切割的需求。

上述问题是目前亟待解决的。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基于富氧工艺的等离子弧切割系统。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：提供一种基于富氧工艺的等离子弧切割系统包括割炬头、第一气源箱、第二气源箱以及气体分配箱，所述割炬头与所述气体分配箱的混合气体出气口连通，所述第一气源箱以及所述第二气源箱分别于所述气体分配箱的第一气体进气口以及第二气体进气口连通，，所述气体分配箱包括预混组件，所述第一气源箱通过第一气体进气口与所述预混组件的其中一个进气口连通形成第一路气道，所述第而气源箱通过第二气体进气口与所述预混组件的另一个进气口连通形成第而路气道，所述预混组件适于将所述第一气源箱以及所述第二气源箱提供的气体进行混合后输送给所述割炬头，所述割炬头包括电极、套设于电极上的分配器以及喷嘴，所述喷嘴的内壁设置适于所述分配器下端限位的限位台阶，所述电极的外壁设置有所述限位环，所述分配器的上端通过所述限位环进行限位，所述电极的外壁与所述分配器的内壁以及所述喷嘴的内壁之间的空间形成离子气流室，所述喷嘴的下端面开设有喷口，所述离子气流室与所述喷口连通，所述分配器的侧壁开设有适于气源进入的分配孔，气源从所述分配孔进入所述离子气流室后经所述电极电离后呈离子气流状从所述喷口喷出，其中所述喷口的直径为D，1.4mm≤D≤2.2mm。

进一步的，所述电极为整体呈上具有开口的圆管形状，所述电极的上部的直径为d1,所述电极的下部的直径为d2,其中10.3mm≤d1≤10.7mm，10mm≤d2≤10.2mm，所述电极的内部直径为d3,7.4mm≤d3≤7.8mm

进一步的，所述限位环的高度为h1，所述电极下部的高度为h2,所述电极上部的高度为h3，其中，1.99≤h1≤2.01mm,27.9≤h2≤28.1mm,10≤h3≤11mm，所述限位环的直径为d4，所述电极在限位环的两侧开设有第一密封圈安装槽，第一密封圈安装槽的直径范围在9.6-9.9mm之间，第一密封圈安装槽的高度为1.9-2.mm，所述电极在限位环的两侧分别设置有第一凸环以及第二凸环，所述第一凸环以及所述第二凸环的直径大于d1，两个所述第一密封圈安装槽分别开设于所述第一凸环以及所述第二凸环上，所述第一凸环上的安装槽距离限位环0.9-11mm，所述第二凸环上的安装槽距离限位环1.9mm-2.1mm。