[发明专利]星载设备的单粒子翻转恢复方法及系统有效
申请号: | 202011216299.6 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112099832B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 周彦波;黄龙;李柏渝;刘哲;鲁祖坤;吴健;邱杨;周海洋;刘强;都倩倩 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科技大学 |
主分类号: | G06F8/65 | 分类号: | G06F8/65 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 赵琴娜 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 设备 粒子 翻转 恢复 方法 系统 | ||
1.一种星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于,包括:
S100、在PROM中存储加载数据,通过加载数据以构建用于启动星载设备的运行系统;
S200、反熔丝FPGA读取PROM内的加载数据,然后写入到FPGA内,开始对FPGA进行加载;
S300、FPGA加载成功后,DSP开始读取FPGA的块RAM内加载数据进行加载;
S400、DSP加载成功后,将FLASH重构数据写入FPGA并存储到FPGA的块RAM内,然后下传至反熔丝FPGA;
S500、反熔丝FPGA接收到FLASH重构数据后,对FLASH进行重构,将原存储在FLASH内的加载数据擦除,然后重新写入正确的加载数据,并进行回读校验,如果校验成功则重构完成,否则重新进行步骤S500;
S600、FLASH 重构完成后,反熔丝FPGA从FLASH端读取加载数据,对FPGA进行重新加载;
所述步骤S100中在PROM中存储加载数据的具体步骤为:
S101、生成原始MCS烧写文件;
S102、删除原始MCS烧写文件中连续大量为零的部分,并且标记出删除位置和删除长度;
S103、重新生成较小的MCS文件,烧写到PROM内。
2.根据权利要求1所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S200中反熔丝FPGA读取PROM内加载数据的具体步骤为:
S201、反熔丝FPGA开始读取PROM内数据并写入到FPGA内,
S202、当读取到标记的删除位置时,停止读取PROM数据,开始自动生成数值零,待生成数值零的个数等于标记的删除长度时,继续读取PROM内的值,直到PROM内所有的值全部读取。
3.根据权利要求1所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S200中,在反熔丝FPGA内设置一个FIFO,PROM的读取数据先写入到FIFO内,然后再通过FIFO写入到FPGA内。
4.根据权利要求1所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S300中DSP开始读取FPGA的块RAM内加载数据进行加载之前还包括以下步骤:先将DSP的复位信号拉低10毫秒,然后再将复位信号拉高释放。
5.根据权利要求1所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S500中回读校验的具体步骤为:
S501、DSP发送读操作指令,
S502、反熔丝FPGA根据FLASH读起始地址和读长度,将读取的FLASH加载数据并写入到块RAM内,
S503、DSP将块RAM内数据读取,并对读取的数据进行校验,如果发现读取的数据有误,则重新进行重构操作。
6.根据权利要求1所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S600中反熔丝FPGA从FLASH端读取加载数据的具体步骤为:
S601、反熔丝FPGA读取FLASH时内的加载数据和校验数据,按两个加载数据和一个校验数据的顺序进行数据的读取,
S602、通过校验数据对加载数据进行校验,并将校验后的加载数据写入FPGA内。
7.根据权利要求6所述的星载设备的单粒子翻转恢复方法,其特征在于:所述步骤S602中进行校验时选择EDAC校验算法,如果出现1比特数据错误,EDAC校验对其进行自动纠错,输出正确结果,并给出1比特错误标志;如果出现多比特错误,EDAC校验给出一个多比特错误标志。
8.一种应用权利要求1至7任意一项所述的单粒子翻转恢复方法的星载设备的单粒子翻转恢复系统,其特征在于,包括:DSP、FPGA、反熔丝FPGA、FLASH和PROM;所述反熔丝FPGA通过PROM总线与PROM相连,所述反熔丝FPGA通过FLASH总线与FLASH相连,所述反熔丝FPGA通过同步串口和SelectMap总线和FPGA相连,所述FPGA通过EMIF总线与DSP相连。
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