[发明专利]一种垂直结构深紫外发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、去除掉深紫外发光二极管的外延结构的P-GaN层(107)的部分区域的全部或一部分；

(2)、在所述P-GaN层(107)的表面沉积一层反射层(201)；

(3)、在所述反射层(201)的表面沉积一层粘合金属层(202)；

(4)、在所述粘合金属层(202)上结合一层导电基板层(301)；

(5)、去除掉所述深紫外发光二极管的外延结构的N-AlGaN层(104)下面的所有层，使所述N-AlGaN层(104)裸露在最外层；

(6)、在所述N-AlGaN层(104)的部分表面上制作电极金属层(401)，且使所述电极金属层(401)的位置与所述P-GaN层(107)的所述部分区域相对应。

2.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中，先通过光刻技术在所述P-GaN层(107)的部分区域的表面制备一定的图形，再利用刻蚀技术蚀刻掉所述P-GaN层(107)上的制备了所述图形的部分。

3.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中，通过键合或电镀将所述述粘合金属层(202)与所述导电基板层(301)结合在一起。

4.根据权利要求3所述的垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)中，通过激光剥离、化学腐蚀或干法刻蚀去除掉所述深紫外发光二极管的外延结构的N-AlGaN层(104)下面的所有层，使所述N-AlGaN层(104)裸露在最外层。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，进一步包括步骤(7)：对所述N-AlGaN层(104)的未制作所述电极金属层(401)的表面进行粗糙化处理。

6.根据权利要求5所述的垂直结构深紫外发光二极管的制备方法，其特征在于，所述粗糙化处理采用化学腐蚀或物理刻蚀进行。

7.一种垂直结构深紫外发光二极管，其包括自下而上设置的N-AlGaN层(104)、多量子阱层(105)、P-AlGaN层(106)和P-GaN层(107)，其特征在于，所述P-GaN层(107)的部分区域的全部或一部分被去除掉并在所述P-GaN层(107)的上表面上沉积有一层反射层(201)，所述反射层(201)的上表面上沉积有一层粘合金属层(202)，所述粘合金属层(202)的上表面上结合有一层导电基板层(301)，所述N-AlGaN层(104)的部分下表面上制作有电极金属层(401)且所述电极金属层(401)的位置与所述P-GaN层(107)的所述部分区域相对应。

8.根据权利要求7所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述反射层(201)由Ni、Au、Al、Pt、AuSn、ITO、Ti、Cr、DBR、ODR中的一种或多种的组合制成。

9.根据权利要求8所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述粘合金属层(202)由Ni、Au、Al、Pt、AuSn、Ti、Cr的任意组合制成。

10.根据权利要求9所述的垂直结构深紫外发光二极管，其特征在于，所述导电基板层(301)由金属或硅制成。