[发明专利]一种高强高韧抗氧化金属基自润滑复合材料及其制备方法有效
申请号: | 202011216974.5 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112322942B | 公开(公告)日: | 2021-11-19 |
发明(设计)人: | 陈明辉;王群昌;王金龙;周文;王福会 | 申请(专利权)人: | 东北大学 |
主分类号: | C22C19/07 | 分类号: | C22C19/07;C22C1/04;B22F1/00;B22F9/04;B22F3/105 |
代理公司: | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人: | 郑瑶 |
地址: | 110169 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高强 高韧抗 氧化 金属 润滑 复合材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种高强高韧抗氧化金属基自润滑复合材料,其特征在于:按重量百分含量计,该复合材料组成如下:
微米钴合金70~85%;
银颗粒 8~15%;
纳米钴或钴合金颗粒 6~20%;
所述微米钴合金为钴基高温合金或者高熵合金,钴的质量分数不低于20%,铬的质量分数不低于13%,原始粉末颗粒度10~100 μm;所述银颗粒小于100μm;所述纳米钴或钴合金颗粒小于100nm,且经600~900℃预氧化处理5~30 min;
该复合材料以钴合金为基体,银为低温自润滑剂,添加的纳米钴或钴合金颗粒,由于该纳米颗粒经过预氧化处理,烧结时与钴合金基体形成金属/氧化物/金属三明治结构的界面化学结合,提高合金强度,其制备方法包括以下步骤:
(1)纳米颗粒预氧化:纳米钴或钴合金颗粒在600~900℃温度范围内预氧化处理5~30min,粉末颗粒表面钝化并形成氧化物薄膜;
(2)粉末机械合金化:按照复合材料组成配比将钴合金、银、纳米钴或者钴合金颗粒通过行星式球磨混合,以质量分数为2~3%的正庚烷为球磨助剂,转速300~400转/分,球磨时间20~50小时后烘干,得到混合均匀的合金化粉末;
(3)放电等离子烧结:将步骤(2)所得复合粉末经放电等离子烧结后,工艺参数如下:真空度﹤1×10-2atm;烧结温度:1050~1250℃;升温速度:50~100℃/min;烧结压力:25~50MPa;保温时间5~20min;随炉冷却获得复合材料;
复合材料的性能指标如下:致密度≥99%,屈服强度≥700MPa,压缩强度≥1300MPa,断裂韧性≥22 MPa;在200~800℃温度区间摩擦,平均摩擦系数为0.20~0.39,磨损量小于4.0×10-5mm3/(Nm);在200~800℃温度区间,该复合材料的抗氧化等级为完全抗氧化级,氧化100 h后,其氧化增重≤0.4mg/cm2。
2.如权利要求1所述的高强高韧抗氧化金属基自润滑复合材料的制备方法,其特征在于,以钴合金为基体,银为低温自润滑剂,添加的纳米钴或钴合金颗粒,由于该纳米颗粒经过预氧化处理,烧结时与钴合金基体形成金属/氧化物/金属三明治结构的界面化学结合,提高合金强度,具体包括以下步骤:
(1)纳米颗粒预氧化:纳米钴或钴合金颗粒在600~900℃温度范围内预氧化处理5~30min,粉末颗粒表面钝化并形成氧化物薄膜;
(2)粉末机械合金化:按照复合材料组成配比将钴合金、银、纳米钴或者钴合金颗粒通过行星式球磨混合,以质量分数为2~3%的正庚烷为球磨助剂,转速300~400转/分,球磨时间20~50小时后烘干,得到混合均匀的合金化粉末;
(3)放电等离子烧结:将步骤(2)所得复合粉末经放电等离子烧结后,随炉冷却获得复合材料。
3.如权利要求2所述的高强高韧抗氧化金属基自润滑复合材料的制备方法,其特征在于:所述放电等离子烧结的工艺参数如下:
真空度﹤1×10-2atm;
烧结温度:1050~1250℃;
升温速度:50~100℃/min;
烧结压力:25~50MPa;
保温时间5~20min。
4.按照权利要求2所述的高强高韧抗氧化金属基自润滑复合材料的制备方法,其特征在于,所述复合材料的性能指标如下:
致密度≥99%,屈服强度≥700MPa,压缩强度≥1300MPa,断裂韧性≥22 MPa ;在200~800℃温度区间摩擦,平均摩擦系数为0.20~0.39,磨损量小于4.0×10-5mm3/(Nm);在200~800℃温度区间,该复合材料的抗氧化等级为完全抗氧化级,氧化100 h后,其氧化增重≤0.4mg/cm2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东北大学,未经东北大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011216974.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体结构及其制备方法
- 下一篇:蚊香圈的连续收集整理系统