[发明专利]用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置在审
申请号: | 202011217257.4 | 申请日: | 2020-11-04 |
公开(公告)号: | CN112787509A | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 李健;金娜延;张斗赈 | 申请(专利权)人: | 现代摩比斯株式会社 |
主分类号: | H02M3/158 | 分类号: | H02M3/158;G05F1/56 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 梁小龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 控制 dc 转换器 电流 模式 辅助 装置 | ||
1.一种用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,包括:
电流镜,所述电流镜与电源电压连接并且复制并供给从恒电流源供给的基准电流;
放大部,所述放大部将从DC-DC转换器的电流模式驱动部产生的回路控制电压与根据从所述电流镜供给的基准电流而生成的基准电压构成为负反馈;以及
控制电压钳位部,所述控制电压钳位部按照根据所述放大部的负反馈结果而输出的栅极控制电压来对所述回路控制电压进行调节。
2.如权利要求1所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,所述放大部包括:
放大器,所述放大器由反相端子接收所述基准电压并且由同相端子接收所述回路控制电压,对所述基准电压和钳位电压进行比较和放大以输出所述栅极控制电压;以及
第一NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管使漏极与所述电流镜连接,使源极通过第一电阻接地,使栅极与比较器的反相端子连接,并且使漏极与栅极共同地连接以将所述基准电压施加到所述比较器。
3.如权利要求1所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,所述控制电压钳位部根据所述栅极控制电压来进行控制而不对所述回路控制电压造成影响或者防止所述回路控制电压的降低。
4.如权利要求3所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,当所述栅极控制电压增加时,所述控制电压钳位部不对所述回路控制电压造成影响。
5.如权利要求3所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,当所述栅极控制电压减小时,所述控制电压钳位部将所述回路控制电压收敛到所述基准电压。
6.如权利要求3所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,所述控制电压钳位部还包括:
第一PMOS晶体管,所述第一PMOS晶体管使源极与电源电压连接,使栅极与所述放大部的输出端连接,使漏极与误差放大器的回路控制电压节点连接,并且当所述栅极控制电压增加时被关断,而当所述控制电压减小时被导通。
7.如权利要求1所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,还包括:
状态输出部,所述状态输出部将所述回路控制电压的状态输出到DC-DC转换器的电流模式驱动部。
8.如权利要求7所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,所述状态输出部包括
第二NMOS晶体管,所述第二NMOS晶体管使漏极与所述电流镜连接,使栅极与回路控制电压节点连接,使源极通过第二电阻接地,并且根据所述回路控制电压而被导通;以及
公共源极放大部,当所述第二NMOS晶体管被导通时,所述公共源极放大部将所述回路控制电压的状态输出为电压信号。
9.如权利要求8所述的用于控制DC-DC转换器的电流模式的辅助装置,其中,所述公共源极放大部包括:
第三NMOS晶体管,所述第三NMOS晶体管使漏极与所述电流镜连接,使源极接地,使栅极连接在所述第二NMOS晶体管的漏极与所述电流镜之间,并且在所述第二NMOS晶体管的漏极电压根据所述第二NMOS晶体管的关断而增加时,所述第三NMOS晶体管使漏极电压减小以放大根据所述第二NMOS晶体管的关断的信号;以及
逆变器,所述逆变器使一端连接在所述第三NMOS晶体管的漏极与所述电流镜之间,使另一端与DC-DC转换器的电流模式驱动部连接,并且将由所述第三NMOS晶体管放大的信号变换为数字信号以输出软过电压信号。
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