[发明专利]半导体设备和功率管理IC在审

专利信息
申请号: 202011217454.6 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN112783246A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 别井隆文 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 李辉
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体设备 功率 管理 ic
【权利要求书】:

1.一种半导体设备,包括:

稳压器电路,具有:偶数数目的开关稳压器,用于从输入电源生成输出电源;以及功率管理IC,用于控制由所述偶数数目的开关稳压器生成的输出电位,

其中所述偶数数目的开关稳压器的一半的第一开关稳压器组被设置在半导体设备的系统板的第一表面上,所述偶数数目的开关稳压器的其余一半的第二开关稳压器组被设置在第二表面上,所述第二表面与所述第一表面成前后关系。

2.根据权利要求1所述的半导体设备,

其中设置在所述第一表面上的所述第一开关稳压器组和设置在所述第二表面上的所述第二开关稳压器组被布置以在平面图中重叠。

3.根据权利要求1所述的半导体设备,还包括贯穿所述系统板的多个通孔,

其中所述多个通孔包括由所述第一开关稳压器组使用的第一通孔组和由所述第二开关稳压器组使用的第二通孔组。

4.根据权利要求3所述的半导体设备,

其中所述第一开关稳压器组被设置为靠近所述第一通孔组,

其中所述第二开关稳压器组被设置为靠近所述第二通孔组。

5.根据权利要求1所述的半导体设备,

其中所述功率管理IC生成控制信号,以使由所述第一开关稳压器组生成的输出电源的相位彼此偏移180°,

其中所述功率管理IC还生成控制信号,以使由所述第二开关稳压器组生成的输出电源的相位彼此偏移180°。

6.根据权利要求5所述的半导体设备,

其中所述功率管理IC生成所述控制信号,以使由所述第一开关稳压器组生成的所述输出电源的所述相位和由所述第二开关稳压器组生成的所述输出电源的所述相位偏移90°。

7.根据权利要求1所述的半导体设备,

其中所述功率管理IC生成所述控制信号,以使由所述第一开关稳压器组生成的第一电流值与由所述第二开关稳压器组生成的第二电流值不同。

8.根据权利要求7所述的半导体设备,

其中辐射器被放置在所述开关稳压器组的布置表面上,所述布置表面具有所述第一电流值或所述第二电流值中的较高电流值。

9.一种半导体设备,包括:

片上系统(SoC);以及

稳压器电路,具有:偶数数目的开关稳压器,用于从输入电源生成要被提供给所述SoC的电源;以及功率管理IC,用于控制由所述偶数数目的开关稳压器生成的输出电位,

其中所述偶数数目的开关稳压器的一半的第一开关稳压器组被设置在所述半导体设备的系统板的第一表面上,其余一半的第二开关稳压器组被设置在第二表面上,所述第二表面与所述第一表面成前后关系,

其中第一电源图案被提供在靠近所述第一表面的层中,第二电源图案被提供在靠近所述第二表面的层中,并且所述第一开关稳压器组经由所述第一电源图案电连接到所述SoC的第一电源端子组。

10.根据权利要求9所述的半导体设备,

其中设置在所述第一表面上的所述第一开关稳压器组和设置在所述第二表面上的所述第二开关稳压器组被布置成在平面图中重叠。

11.根据权利要求9所述的半导体设备,

其中所述功率管理IC生成控制信号,以使由所述第一开关稳压器组生成的输出电源的相位彼此偏移180°,

其中所述功率管理IC生成所述控制信号,以使由所述第二开关稳压器组生成的输出电源的相位彼此偏移180°。

12.根据权利要求11所述的半导体设备,

其中所述功率管理IC生成所述控制信号,以使由所述第一开关稳压器组生成的所述输出电源的所述相位和由所述第二开关稳压器组生成的所述输出电源的所述相位偏移90°。

13.一种用于控制偶数数目的开关稳压器的功率管理IC,

其中所述偶数数目的开关稳压器的一半的所述第一开关稳压器组被设置在系统板的第一表面上,并且其余一半的第二开关稳压器组被设置在第二表面上,所述第二表面与所述第一表面成前后关系,

其中控制信号被生成,以使由所述第一开关稳压器组生成的输出电源的相位和由所述第二开关稳压器组生成的输出电源的相位具有预先确定的相位差。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社,未经瑞萨电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011217454.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top