[发明专利]一种基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法

权利要求书

1.一种基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

包括以下步骤：

在柔性衬底上形成背栅电极；

采用低温化学气相沉积方法在所述背栅电极上依次生长阻挡层、电荷俘获层和隧穿层；

利用机械剥离法直接将二维材料剥离至所述隧穿层上，作为沟道；

在所述沟道两侧淀积金属电极。

2.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述低温化学气相沉积方法的沉积温度为100℃～150℃。

3.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述阻挡层的厚度为20nm～100nm。

4.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述电荷俘获层的厚度为5nm～20nm。

5.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述隧穿层的厚度为5nm～15nm。

6.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述二维材料为ReS₂，WS₂，MoSe₂或WSe₂。

7.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述二维材料的厚度为2nm～25nm。

8.根据权利要求1所述的基于低温化学气相沉积的柔性二维存储器制备方法，其特征在于，

所述电荷俘获层为Si₃N₄。