[发明专利]n型AlN欧姆接触结构、AlN肖特基二极管及AlN场效应晶体管

权利要求书

1.一种n型AlN欧姆接触结构，其特征在于，包括晶圆结构(1)和欧姆接触电极(2)，其中，

所述欧姆接触电极(2)设置于所述晶圆结构(1)上，所述晶圆结构(1)包括自下而上依次设置的衬底层(101)、过渡层(102)、沟道层(103)、渐变AlGaN层(104)和n型GaN层(105)，所述渐变AlGaN层(104)中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0。

2.根据权利要求1所述的n型AlN欧姆接触结构，其特征在于，所述欧姆接触电极(2)由四层金属材料组成，所述四层材料自下而上依次为钛、铝、镍、金，每层金属的生长厚度依次为22nm、140nm、45nm、55nm。

3.根据权利要求1所述的n型AlN欧姆接触结构，其特征在于，所述渐变AlGaN层(104)的掺杂类型为n型，浓度为10¹⁸-10²¹cm^-3，厚度为10-100nm。

4.根据权利要求1至3所述的n型AlN欧姆接触结构，其特征在于，所述n型GaN层(105)的掺杂类型为n型，浓度为10¹⁸至10²¹cm^-3。

5.一种AlN肖特基二极管，其特征在于，包括晶圆结构(1)、阴极(3)和阳极(4)，其中，

所述晶圆结构(1)包括自下而上依次设置的衬底层(101)、过渡层(102)、沟道层(103)、渐变AlGaN层(104)和n型GaN层(105)；所述渐变AlGaN层(104)中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0；

所述阴极(3)覆盖在所述n型GaN层(105)的上表面，所述沟道层(103)的上表面有至少一部分未覆盖所述渐变AlGaN层(104)，所述阳极(4)设置在所述沟道层(103)未被覆盖的上表面，并且所述阳极(4)与所述渐变AlGaN层(104)彼此间隔。

6.根据权利要求5所述的AlN肖特基二极管，其特征在于，所述阴极(3)由四层金属材料组成，所述四层材料自下而上依次为钛、铝、镍、金，厚度分别为22nm、140nm、45nm、55nm；所述阳极(4)由两层金属材料组成，所述两层材料自下而上依次为镍、金，厚度分别为20nm、100nm。

7.一种AlN肖特基栅场效应晶体管，其特征在于，包括晶圆结构(1)、源极(5)、漏极(6)和栅极(7)，其中，所述晶圆结构(1)包括自下而上依次设置的衬底层(101)、过渡层(102)、沟道层(103)、渐变AlGaN层(104)和n型GaN层(105)，所述渐变AlGaN层(104)中Al组分的含量自下而上逐渐从1变化到0；所述源极(5)和所述漏极(6)分别位于所述n型GaN层(105)上表面的两侧，所述栅极(7)位于所述沟道层(103)未被覆盖的上表面。

8.根据权利要求7所述的AlN肖特基栅场效应晶体管，其特征在于，所述源极(5)由四层金属材料组成，所述四层材料自下而上依次为钛、铝、镍、金，每层金属的生长厚度依次为22nm、140nm、45nm、55nm；所述漏极(6)由四层金属材料组成，所述四层材料自下而上依次为钛、铝、镍、金，每层金属的生长厚度依次为22nm、140nm、45nm、55nm；所述栅极(7)由两层金属材料组成，所述两层材料自下而上依次为镍、金，厚度分别为20nm、100nm。