[发明专利]三维集成电路缺陷聚簇容错结构及其聚簇故障容错方法有效

专利信息
申请号: 202011218063.6 申请日: 2020-11-04
公开(公告)号: CN112329363B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 倪天明;卞景昌;宋钛;聂牧;张肖强 申请(专利权)人: 安徽工程大学
主分类号: G06F30/33 分类号: G06F30/33;G06F30/337;G06F119/02;H01L23/48
代理公司: 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 代理人: 钟雪
地址: 241000 安*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 三维集成电路 缺陷 容错 结构 及其 故障 方法
【权利要求书】:

1.一种三维集成电路缺陷聚簇容错结构,其特征在于,所述结构包括:

裸片1及裸片2,位于裸片1与裸片2之间的TSV阵列,由n个TSV组成;裸片1由TDMA模块、重配置模块1及测试模块1组成,裸片2由测试模块2及重配置模块2组成;

TDMA模块包括:设有n个输入端的选择器1,选择器1的输入端连接各TSV的信号输入端,输出端与选择器2的输入端连接,选择器2的另外两个输入端分别与测试模式模块及测试模式反向模块连接,输出端与分配器1的输入端连接,分配器1上设有n个输出端;

重配置模块1包括:配置给每个TSV的选择器Ⅰ及选择器Ⅱ,其中,选择器Ⅰ的输入端与自身TSV在分配器1上的输出端连接,选择器Ⅱ设有m个输入端,分别与自身TSV周边m个TSV在分配器1上的输出端连接,选择器Ⅱ的输出端与选择器Ⅰ的另一输入端连接;

测试模块1包括:配置给每个TSV的分配器Ⅰ,分配器Ⅰ的输入端与对应选择器Ⅰ的输出端连接,分配器Ⅰ的输出端与对应TSV的输入端连接;分配给每个TSV的pmos管,pmos管与自身TSV的分配器Ⅰ连接,所有pmos管均与状态寄存器连接;

测试模块2包括:配置给每个TSV的nmos管,通过对应TSV与自身的pmos管连接;

重配置模块2包括:配置给每个TSV的分配器Ⅱ及分配器Ⅲ,分配器Ⅱ的输入端与自身TSV的输出端连接,一个输出端与分配器Ⅲ的输入端连接,另一输出端与自身TSV的信号输出端连接,分配器Ⅲ上设有m个输出端,m个输出端分别与自身TSV周边m个信号TSV的信号输出端连接;

当测试模式模块输出信号为1,表示当前处于测试模式,当测试模式模块输出的信号为0,则表示当前处于功能模式;

当测试模式反向模块输出的信号为1,则将Testmode的输出信号进行反向,当测试模式反向模块输出的信号为0,则将Testmode的输出信号保持不变。

2.如权利要求1所述三维集成电路缺陷聚簇容错结构,其特征在于,当TSV位于TSV阵列的四个顶角,则m的取值为3,当TSV位于TSV阵列的边缘非顶角位置,则m的取值为5,当TSV位于TSV阵列中的剩余位置,则m的取值为8。

3.基于权利要求1或2所述三维集成电路缺陷聚簇容错结构的聚簇故障容错方法,其特征在于,所述方法具体如下:

在TSV阵列中存在缺陷TSV时,检测缺陷TSV周边八个TSV的组号,TSV的组号为其周边八个TSV中的缺陷TSV个数值;

缺陷TSV的输入信号通过分配器1分配至其周边组号最小的无缺陷TSV对应的选择器Ⅱ,通过该选择器Ⅱ依次传输至最小组号无缺陷TSV、最小组号无缺陷TSV对应的分配器Ⅱ及分配器Ⅲ,通过分配器Ⅲ将输出信号输出至缺陷TSV的信号输出端。

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