[发明专利]一种晶体硅太阳电池、组件及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供电池，所述电池具有位于表面的透明导电膜；

对所述电池进行切片操作，形成分片电池；

在所述分片电池表面的透明导电膜上制作介电薄膜。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述电池通过切片操作形成两片以上的所述分片电池；

可选地，所述切片操作是通过激光切片实现的。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述电池通过切半操作形成两个分片电池，所述透明导电膜为ITO，所述介电薄膜为SiN。

4.根据权利要求3所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述电池包括异质结电池。

5.根据权利要求4所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述异质结电池包括：

在衬底的正面分别制作第一本征非晶硅层、第一掺杂非晶硅层、第一透明导电膜和第一电极；

在衬底的背面分别制作第二本征非晶硅层、第二掺杂非晶硅层、第二透明导电膜和第二电极；

所述第一透明导电膜和所述第二透明导电膜之上均制作有介电薄膜。

6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳电池的制作方法，其特征在于，所述异质结电池包括下述之一项或多项限定：

第一限定、所述衬底的正面和背面分别制作形成陷光结构；

第二限定、所述本征非晶硅层和掺杂非晶硅层通过等离子体增强的化学气相沉积法制作；可选地，所述本征非晶硅层和掺杂非晶硅层的生长温度为100℃至300℃；

第三限定、所述透明导电膜采用磁控溅射法、反应等离子体沉积法或电子束蒸发法制作；可选地，所述透明导电膜的生长温度为25℃至300℃；

第四限定、所述第一电极和所述第二电极分别通过丝网印刷并经固化制作；可选地，电极的材料为低温银浆；

第五限定、所述介电薄膜通过等离子体增强的化学气相沉积法或原子层沉积法制作；可选地，所述介电薄膜的生长温度为25℃至300℃。

7.一种晶体硅太阳电池组件的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

实施根据权利要求1至6中任意一项所述的晶体硅太阳电池的制作方法，以获得切片后镀膜的分片电池；

对所述切片后镀膜的分片电池进行测试分选，选取相同效率的晶体硅太阳电池，直接进行串焊，排版，层压，打胶，装框，功率测试。

8.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，包括：

通过对电池进行切片操作所形成的分片电池，所述分片电池表面具有用以导电的透明导电膜；

介电薄膜，形成于所述分片电池表面的透明导电膜之上，用以作为陷光的减反射层。

9.根据权利要求8所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述电池为异质结电池。