[发明专利]可UV固化的胶膜及其应用

说明书

一种可UV固化的胶膜及其应用，按重量计，胶膜含有如下组分：基础聚合物100份、UV固化树脂5‑60份、硬化剂1‑5份、光引发剂0.1‑5份、脱模剂0.1‑1.5份。本发明有效降低紫外照射后对晶片固晶胶膜的附着力，显著提高晶片拾取的成功率，显著降低晶片拾取时对顶针高度的要求，同时减少晶片位移、飞散、碎裂等现象。

技术领域

本发明涉及UV胶生产技术领域，具体涉及一种用于超薄晶圆切割和拾取的可UV固化切割胶膜及其应用。

背景技术

硅晶圆在制作过程中，通常需要将其切割成所需尺寸的晶圆，半导体制程中需要将刻有电路的晶圆切割成小片，再进入下游工序。在晶圆切割过程中，需要把晶圆贴附在切割胶带上，以便于进行精确切割。拾取的晶圆芯片可以用传统的固晶胶胶进行定位固晶。近年来，由于器件的微型化和芯片的超薄化，对固晶过程提出了新的要求，传统的固晶胶浆已不能满足这样的需求。也就是说，在这样的应用场景下，需要使用固晶胶膜来代替固晶胶浆实现这样的固晶制程。该工艺制程通常需要用到可UV固化的切割胶带，切割前，先将晶圆的固晶胶膜粘附至切割胶带上，避免其发生位移、便于切割；切割后，通过紫外线照射固化切割胶带上的紫外固化胶黏剂层，使得紫外固化胶黏剂与晶圆的固晶胶膜之间的附着力显著降低，便于拾取晶片。紫外固化胶黏剂层的优点之一在于，通过控制紫外线照射剂量，易于控制附着力。现有技术中，主要包括如下两种切割工艺：(1)将晶圆的固晶胶膜粘附至紫外切割胶带后，先进行切割，再进行紫外照射，然后拾取切割后的晶片；(2)将晶圆的固晶胶膜粘附至紫外切割胶带后，先进行紫外照射，再进行切割，最后拾取切割后的晶片。

不论采用上述何种切割工艺，都要求在紫外光固化之前，紫外固化胶黏剂具有较高的附着力，防止晶片发生位移、飞散等，在紫外光固化之后，紫外固化胶黏剂与晶圆的固晶胶膜之间的附着力需要尽量小，才能拾取晶圆，由于晶圆的厚度越来越小，现有的紫外固化胶黏剂无法在紫外照射后将附着力降低至较低水平，进而无法满足超薄晶圆的拾取或避免超薄晶圆在拾取过程中的碎裂。并且，现有的紫外固化胶黏剂在紫外照射后，由于其对晶片上固晶胶膜的附着力仍然较高，需要使用较高的顶针高度才能将晶片顶起，顶针高度越高，越容易造成晶片飞散、碎裂。

发明内容

本发明提供一种可UV固化的胶膜及其应用。

根据第一方面，一种实施例中提供一种可UV固化的胶膜，按重量计，所述紫外固化胶黏剂包括如下组分：基础聚合物100份、UV固化树脂5-60份、硬化剂1-5份、光引发剂0.1-5份、脱模剂0.1-1.5份。

根据第二方面，一种实施例中提供一种胶带，所述胶带为涂布有第一方面所述胶膜的薄膜。

根据第三方面，一种实施例中提供第一方面所述胶膜在晶圆切割和/或拾取中的应用。

依据上述实施例的紫外固化胶黏剂，有效降低紫外照射后对晶片固晶胶膜的附着力，显著提高晶片拾取的成功率，显著降低晶片拾取时对顶针高度的要求，减少晶片位移、飞散、碎裂等现象。

附图说明

图1-图3显示为一实施例中的芯片背面观察图。

具体实施方式

下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本申请能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力地认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本申请相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本申请的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。