[发明专利]适用于非易失性存储器的电压选择电路

说明书

本发明公开了一种适用于非易失性存储器的电压选择电路，包括高压比较电路和电压选择电路，高压比较电路包括第一支路和第二支路，第一支路包括依次连接的第一电阻分压模块、第一比较器、第一电平转换模块，第二支路包括依次连接的第二电阻分压模块、第二比较器、第二电平转换模块，电压选择电路包括依次连接的第三电平转换模块和传输门。本发明的高压比较电路通过第一支路和第二支路得出第一输入电压、第二输入电压中的最大电压，高压比较电路输出的最大电压连接到所述电压选择电路的输入端，通过第三电平转换模块、传输门与选择控制信号共同作用，进行电压的选择；电路结构简单，具有电压适用范围广、响应速度快、输出精度高的优点。

技术领域

本发明涉及集成电路领域，特别涉及一种适用于非易失性存储器的电压选择电路。

背景技术

在非易失性存储器应用中，例如EERPOM、FLASH、MTP中，需要用到高压进行擦写编程，这种高压可以高达十几伏，并且在不同的操作状态下，电压的值也需要相应改变，这种改变有可能是高压低压之间的切换，也有可能是电压差值较小的两个信号之间的切换，因此不可避免会用到电压选择电路。在传统的电压选择电路中，例如图1所示的经典二选一电路，无论是反相器I1还是传输门I2、I3都是通过晶体管的导通与否来进行电压的切换，但是当输入电压远远大于电源电压时，对于传输门而言无法起到隔断的作用，因此电路无法实现正确的功能。

基于上述所提出的问题，在无额外高压输入的情况下，考虑可以采用两个输入电压中的大电压来进行传输门的控制，则需要用到高电压选择电路。图2所示的是现有技术的一种高电压选择电路的原理图，在该电路中，采用第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2进行选择，但是当两个输入电压V1、V2之间的差值较小时，MP1和MP2都不导通，因此电路无法选择出正确的高电压。

发明内容

为了解决上述技术问题，本发明提供一种结构简单、响应速度快、输出精度高的适用于非易失性存储器的电压选择电路。

本发明解决上述问题的技术方案是：一种适用于非易失性存储器的电压选择电路，包括高压比较电路和电压选择电路，所述高压比较电路包括第一支路和第二支路，第一支路包括依次连接的第一电阻分压模块、第一比较器、第一电平转换模块，第二支路包括依次连接的第二电阻分压模块、第二比较器、第二电平转换模块，第一电阻分压模块和第二电阻分压模块的输入端均接入第一输入电压、第二输入电压，所述电压选择电路包括依次连接的第三电平转换模块和传输门，第三电平转换模块的输入端与第一电平转换模块的输出端、第二电平转换模块的输出端连接，第三电平转换模块的输出端经传输门后输出选择信号；所述高压比较电路通过第一支路和第二支路得出第一输入电压、第二输入电压中的最大电压，高压比较电路输出的最大电压连接到所述电压选择电路的输入端，通过第三电平转换模块、传输门与选择控制信号共同作用，进行电压的选择。

上述适用于非易失性存储器的电压选择电路，所述第一支路中，第一电阻分压模块包括第一至第四电阻，第一比较器的正输入端连接第一电阻的一端、第二电阻的一端，第一电阻的另一端接入第一输入电压，第二电阻的另一端接地，第一比较器的负输入端与第三电阻的一端、第四电阻的一端相连，第三电阻的另一端接入第二输入电压，第四电阻的另一端接地，第一比较器的输出端与第一电平转换模块的VSEL端口相连，第一电平转换模块的VIN端口接入第一输入电压，第一电平转换模块的VOUT_N端口悬空，第一电平转换模块的VOUT端口与第三PMOS管的栅极相连，第三PMOS管的源极接入第二输入电压。